| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-24页 |
| ·AlGaN 紫外探测器概述 | 第12-17页 |
| ·AlGaN 紫外探测器类型 | 第13-15页 |
| ·AlGaN 紫外探测器的研究进展 | 第15-16页 |
| ·AlGaN 紫外探测器面临的挑战 | 第16-17页 |
| ·表面等离激元的性质和应用 | 第17-22页 |
| ·表面等离激元的基本原理 | 第17-20页 |
| ·表面等离激元耦合增强 GaN 基器件的最新进展 | 第20-22页 |
| ·本论文研究内容 | 第22-24页 |
| 第2章 AlGaN 材料的性质及生长 | 第24-36页 |
| ·GaN/AlN 材料性质 | 第24-25页 |
| ·AlGaN 外延材料生长 | 第25-30页 |
| ·MOCVD 生长技术简介 | 第25-28页 |
| ·AlGaN 材料结构设计 | 第28页 |
| ·AlGaN 材料的外延生长 | 第28-30页 |
| ·AlGaN 材料的测试 | 第30-34页 |
| ·AlGaN 探测器性能测试 | 第34-36页 |
| 第3章 Al 颗粒增强机理的理论模拟及分析 | 第36-48页 |
| ·时域有限差分法基础 | 第36页 |
| ·计算模型 | 第36-40页 |
| ·离散形式及迭代公式 | 第37-40页 |
| ·边界条件 | 第40页 |
| ·计算结果及分析 | 第40-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 AlGaN 基紫外探测器的研究 | 第48-66页 |
| ·AlGaN 基 MSM 结构日盲紫外探测器的工作原理 | 第48-49页 |
| ·AlGaN 基 MSM 结构紫外探测器电极设计 | 第49-50页 |
| ·AlGaN 基 MSM 结构探测器的制作 | 第50-58页 |
| ·样品清洗 | 第50-51页 |
| ·光刻 | 第51页 |
| ·制作电极 | 第51页 |
| ·在探测器表面制作 Al 颗粒 | 第51-58页 |
| ·AlGaN 基 MSM 结构探测器的性能测试 | 第58-65页 |
| ·光电探测器的表征参量 | 第58-59页 |
| ·I-V 特性测试 | 第59-60页 |
| ·光谱响应测试 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第5章 总结及展望 | 第66-68页 |
| ·工作总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第74-76页 |
| 指导教师及作者简介 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |