| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·紫外光电探测技术的发展历程 | 第10-11页 |
| ·紫外真空二极管和紫外光电倍增管 | 第10-11页 |
| ·硅基紫外光电二极管 | 第11页 |
| ·宽禁带紫外探测器 | 第11页 |
| ·紫外光电探测器的性能指标 | 第11-12页 |
| ·量子效率 | 第11页 |
| ·光响应度 | 第11-12页 |
| ·响应时间 | 第12页 |
| ·灵敏度 | 第12页 |
| ·ZnO基紫外光电探测器的分类及其发展 | 第12-16页 |
| ·M-S-M型ZnO紫外探测器 | 第12-15页 |
| ·p-n结型ZnO紫外探测器 | 第15-16页 |
| ·自驱动型探测器 | 第16-20页 |
| ·有集成电源的自驱动型紫外探测器 | 第16-18页 |
| ·基于内建场的自驱动型紫外探测器 | 第18-20页 |
| ·本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 制备方法和表征手段 | 第21-25页 |
| ·制备方法 | 第21-22页 |
| ·化学水浴沉积法 | 第21页 |
| ·连续离子层吸附法 | 第21页 |
| ·电化学沉积技术 | 第21-22页 |
| ·表征手段 | 第22-25页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| ·X射线衍射 | 第23-24页 |
| ·光致发光光谱 | 第24页 |
| ·紫外-可见吸收光谱 | 第24页 |
| ·紫外探测器件的光电性能表征 | 第24-25页 |
| 第三章 基于连续离子吸附法沉积CuSCN的ZnO纳米棒阵列紫外光电性能研究 | 第25-38页 |
| ·.引言 | 第25-26页 |
| ·ZnO紫外光电导特性研究 | 第26-31页 |
| ·器件的制备过程 | 第26页 |
| ·紫外光电探测性能研究 | 第26-31页 |
| ·连续离子吸附法制备ZnO/CuSCN异质结紫外探测性能研究 | 第31-37页 |
| ·器件的制备过程 | 第31-32页 |
| ·紫外光探测性能研究 | 第32-37页 |
| ·总结 | 第37-38页 |
| 第四章 基于电化学沉积法沉积CuSCN的ZnO纳米棒阵列紫外光响应性能研究 | 第38-51页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·连续时间电化学沉积法制备ZnO/CuSCN紫外光电探测器 | 第38-42页 |
| ·器件制备过程 | 第38-39页 |
| ·紫外光电探测性能研究 | 第39-42页 |
| ·间断性电化学沉积法制备ZnO/CuSCN紫外光电探测器 | 第42-50页 |
| ·器件制备过程 | 第42-43页 |
| ·紫外光电探测性能研究 | 第43-50页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-52页 |
| ·全文总结 | 第51页 |
| ·工作展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
