狄拉克材料的计算和理论研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·狄拉克材料 | 第12页 |
| ·狄拉克方程 | 第12-14页 |
| ·石墨烯: 无质量狄拉克电子 | 第14-17页 |
| ·有质量狄拉克电子 | 第17-36页 |
| ·从霍尔效应到整数量霍尔效应 | 第18-21页 |
| ·谷电子学的研究进展 | 第21-26页 |
| ·从量子自旋霍尔效应到三维拓扑绝缘体 | 第26-32页 |
| ·量子反常霍尔效应的研究进展 | 第32-36页 |
| 第二章 基于密度泛函理论的材料计算 | 第36-58页 |
| ·密度泛函理论 | 第36-47页 |
| ·基础知识 | 第36-39页 |
| ·密度泛函理论 | 第39-42页 |
| ·LDA 近似和其相关发展 | 第42-44页 |
| ·计算中的重要概念 | 第44-47页 |
| ·与狄拉克材料相关的计算方法 | 第47-58页 |
| 第三章 谷自由度与反铁磁序耦合 | 第58-72页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·反铁磁六角蜂窝状晶格的理论模型 | 第59-64页 |
| ·模型哈密顿量 | 第59-61页 |
| ·耦合自旋和谷的自由度所展现的物理 | 第61-64页 |
| ·畴壁 | 第64页 |
| ·反铁磁的 MnPX3 | 第64-70页 |
| ·单层 MnPX3 | 第64-68页 |
| ·双层 MnPX3 | 第68-70页 |
| ·讨论 | 第70-72页 |
| 第四章 通过谷调控设计拓扑绝缘体 | 第72-86页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·界面态的聚合 | 第73-76页 |
| ·SnTe 的超晶格 | 第76-81页 |
| ·[111] 超晶格 | 第76-81页 |
| ·[110] 超晶格 | 第81页 |
| ·讨论 | 第81-86页 |
| 第五章 非拓扑简单氧化物中的新颖拓扑态 | 第86-104页 |
| ·引言 | 第86-88页 |
| ·单自旋狄拉克态 | 第88-98页 |
| ·模型哈密顿量 | 第88-90页 |
| ·密度泛函能带计算 | 第90-96页 |
| ·狄拉克态的新奇特性 | 第96-98页 |
| ·量子反常霍尔态 | 第98-100页 |
| ·讨论 | 第100-104页 |
| 第六章 拓扑 Bi(111) 双层的边界修饰 | 第104-116页 |
| ·引言 | 第104-105页 |
| ·边界态修饰 | 第105-109页 |
| ·输运和光学信号 | 第109-111页 |
| ·穿透深度和自旋结构 | 第111-116页 |
| 全文总结及展望 | 第116-120页 |
| 参考文献 | 第120-136页 |
| 论文发表 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
