| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·半导体材料的发展 | 第9页 |
| ·第一性原理计算研究材料性质的优势 | 第9-10页 |
| ·缺陷黄铜矿结构半导体 A~ⅡB_2~ⅢC_4~Ⅵ的研究背景及研究意义 | 第10-13页 |
| 第二章 理论基础 | 第13-25页 |
| ·物理基础 | 第13-18页 |
| ·能带理论 | 第13-17页 |
| ·半导体光学性质 | 第17-18页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第18-25页 |
| ·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第18-19页 |
| ·密度泛函理论 | 第19-25页 |
| 第三章 缺陷黄铜矿结构半导体 A~ⅡB_2~ⅢC_4~Ⅵ的电子结构与光学性质 | 第25-39页 |
| ·引言 | 第25-26页 |
| ·计算方法及计算参数的设置 | 第26页 |
| ·晶格常数 | 第26-27页 |
| ·能带结构和态密度 | 第27-30页 |
| ·光学性质 | 第30-39页 |
| ·介电函数和折射率 | 第30-33页 |
| ·吸收系数 | 第33-35页 |
| ·反射系数和损失函数 | 第35-39页 |
| 第四章 总结与展望 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-47页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第47-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |