电磁轨道炮弹引信所处强磁场环境分析、屏蔽及利用
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-16页 |
| 1 绪论 | 第16-27页 |
| ·研究背景 | 第16-17页 |
| ·国内外现状 | 第17-25页 |
| ·电磁发射环境分析 | 第17-22页 |
| ·轨道炮强磁场屏蔽 | 第22-23页 |
| ·强磁场对电子元器件影响 | 第23-24页 |
| ·电磁轨道炮引信安全系统 | 第24-25页 |
| ·主要研究内容及行文结构 | 第25-27页 |
| 2 电磁轨道炮几何模型与电流特性 | 第27-39页 |
| ·电磁轨道炮发射原理 | 第27-28页 |
| ·电磁轨道炮几何模型 | 第28-35页 |
| ·导体中的磁扩散方程 | 第28-29页 |
| ·电磁轨道炮速度趋肤效应 | 第29-34页 |
| ·电磁轨道炮面电流几何模型 | 第34-35页 |
| ·电磁轨道炮薄导轨几何模型 | 第35页 |
| ·电磁轨道炮脉冲电流特性 | 第35-38页 |
| ·脉冲电流曲线 | 第35-37页 |
| ·脉冲电流频率特性分析 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 3 电磁轨道炮弹引信所处膛内环境分析 | 第39-47页 |
| ·膛内脉冲强磁场环境 | 第39-43页 |
| ·膛内脉冲强磁场计算原理 | 第39-40页 |
| ·脉冲强磁场空间分布 | 第40-41页 |
| ·脉冲强磁场时域变化 | 第41-43页 |
| ·膛内力学环境 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 4 电磁轨道炮膛内脉冲强磁场被动屏蔽 | 第47-68页 |
| ·被动屏蔽原理 | 第47-49页 |
| ·导电材料屏蔽机理——涡流消除 | 第47-48页 |
| ·导磁材料屏蔽机理——磁通分流 | 第48页 |
| ·组合屏蔽机理 | 第48页 |
| ·屏蔽效能评估模型 | 第48-49页 |
| ·被动屏蔽效果 | 第49-58页 |
| ·导电材料屏蔽 | 第49-51页 |
| ·导磁材料屏蔽 | 第51-54页 |
| ·组合屏蔽 | 第54-58页 |
| ·被动屏蔽优化 | 第58-67页 |
| ·导磁材料优化 | 第59-60页 |
| ·屏蔽体相对弹底距离 | 第60-66页 |
| ·屏蔽体厚度 | 第66-67页 |
| ·屏蔽后的最优位置确定 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 5 电磁轨道炮膛内脉冲强磁场半主动屏蔽 | 第68-92页 |
| ·半主动屏蔽原理 | 第68-72页 |
| ·半主动屏蔽设计 | 第72-90页 |
| ·单匝线圈 | 第72-81页 |
| ·多匝线圈 | 第81-90页 |
| ·外部电感场路耦合 | 第90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 6 典型电子元器件在强磁场环境下失效分析 | 第92-114页 |
| ·实验强磁场环境产生 | 第92-94页 |
| ·典型电子元件及其失效模式 | 第94-100页 |
| ·基本元件 | 第94-96页 |
| ·半导体元件 | 第96-98页 |
| ·控制与存储器件 | 第98-99页 |
| ·其他元件 | 第99-100页 |
| ·失效实验分析 | 第100-113页 |
| ·基本元件 | 第101-110页 |
| ·半导体元件 | 第110-112页 |
| ·控制与存储器件 | 第112页 |
| ·其他元件 | 第112-113页 |
| ·本章小结 | 第113-114页 |
| 7 引信安全系统初步设计方案 | 第114-119页 |
| ·总体方案设计 | 第114-115页 |
| ·电磁轨道炮引信后坐环境解保方案 | 第115-116页 |
| ·后坐弹簧设计 | 第115-116页 |
| ·电磁轨道炮引信强磁场环境解保方案 | 第116-118页 |
| ·磁传感器的选择 | 第116-117页 |
| ·解保电路设计要求 | 第117-118页 |
| ·强磁场环境解保过程 | 第118页 |
| ·本章小结 | 第118-119页 |
| 8 论文的总结与展望 | 第119-121页 |
| ·论文主要研究工作总结 | 第119-120页 |
| ·论文工作展望 | 第120-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-128页 |
| 附录 | 第128页 |
