| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| ·纳米材料概述 | 第10-13页 |
| ·纳米材料研究的发展史 | 第10-11页 |
| ·纳米材料分类及其性能 | 第11-13页 |
| ·薄膜电池中光生电子传输方式 | 第13-16页 |
| ·薄膜太阳能电池研究现状 | 第16-20页 |
| ·电沉积法的基本过程和各参数对薄膜的影响 | 第20-22页 |
| ·电沉积法的基本过程 | 第20-21页 |
| ·各参数对薄膜的影响 | 第21-22页 |
| ·CIS 与金属氧化物半导体复合薄膜太阳电池 | 第22页 |
| ·存在的问题 | 第22-24页 |
| ·本论文的研究目的、思路及主要内容 | 第24-27页 |
| ·论文的研究目的和思路 | 第24-25页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 CuInSe_2/TiO_2复合薄膜的光电性质研究 | 第32-48页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·实验 | 第33-35页 |
| ·试剂和仪器 | 第33-34页 |
| ·TiO_2纳米棒阵列的制备 | 第34页 |
| ·CIS/TiO_2纳米棒阵列复合薄膜的制备 | 第34-35页 |
| ·薄膜的退火处理 | 第35页 |
| ·结果与讨论 | 第35-44页 |
| ·TiO_2纳米棒阵列形貌及光电性质 | 第35-37页 |
| ·CIS/TiO_2纳米棒阵列复合薄膜的形貌及光电性质 | 第37-42页 |
| ·电沉积 CIS 溶液 Cu/In 对复合薄膜光电性质及结构的影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第三章 CIS 厚度和 TIO_2纳米棒密度对复合薄膜光电性质的影响 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验 | 第48-50页 |
| ·试剂和仪器 | 第48-49页 |
| ·基底处理 | 第49页 |
| ·不同密度 TiO_2纳米阵列的制备 | 第49-50页 |
| ·不同 CIS 沉积时间的复合薄膜的制备 | 第50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-59页 |
| ·CIS 沉积时间对复合薄膜形貌、结构及光电性质的影响 | 第50-54页 |
| ·TiO_2纳米棒密度对复合薄膜形貌、结构及光电性质的影响 | 第54-57页 |
| ·高温退火对 CIS 晶胞结构和复合薄膜光电性能的影响 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 硕士期间发表和已完成的论文与工作 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
