| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·新型非易失性存储器 | 第12-14页 |
| ·铁电存储器 | 第12页 |
| ·相变存储器 | 第12-13页 |
| ·磁阻存储器 | 第13页 |
| ·RRAM | 第13-14页 |
| ·RRAM 的发展 | 第14-22页 |
| ·电致阻变的类型 | 第14-16页 |
| ·电形成机制 | 第16-20页 |
| ·单双极电致阻变的机制 | 第20-22页 |
| ·本论文的选题背景以及思路 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-29页 |
| 第2章 NSTO 薄膜和高绝缘 Al_2O_3薄膜的制备方法及表征 | 第29-37页 |
| ·制备方法 | 第29-33页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第29-31页 |
| ·磁控溅射沉积技术 | 第31-32页 |
| ·离子溅射技术 | 第32-33页 |
| ·表征仪器 | 第33-34页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第33页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·RRAM 的电学性能测试系统 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-37页 |
| 第3章 Pt/NSTO/Pt 器件的电致阻变特性的研究 | 第37-51页 |
| ·前言 | 第37-38页 |
| ·Pt/NSTO/Pt 器件的制备 | 第38-41页 |
| ·NSTO 靶材的制备 | 第38-39页 |
| ·NSTO 薄膜的制备 | 第39页 |
| ·NSTO 薄膜的表征 | 第39-41页 |
| ·Pt/NSTO/Pt 器件的完成 | 第41页 |
| ·Pt/NSTO/Pt 器件的电致阻变特性 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第4章 Al/NSTO/Pt 器件的电致阻变特性的研究 | 第51-61页 |
| ·前言 | 第51-52页 |
| ·Al/NSTO/Pt 器件的制备 | 第52页 |
| ·Al/NSTO/Pt 的电致阻变特性 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第5章 NSTO 插入层对 Al/Al_2O_3/NSTO/Pt 器件的电致阻变特性的影响 | 第61-75页 |
| ·前言 | 第61-62页 |
| ·Al/Al_2O_3/Pt、Al/Al_2O_3/NSTO/Pt 器件的制备 | 第62-64页 |
| ·NSTO 薄膜和 Al_2O_3薄膜的制备 | 第62-63页 |
| ·NSTO 薄膜和 Al_2O_3薄膜的表征 | 第63-64页 |
| ·Al/Al_2O_3/Pt、Al/Al_2O_3/NSTO/Pt 器件的完成 | 第64页 |
| ·Al/Al_2O_3/Pt、Al/Al_2O_3/NSTO/Pt 器件的电致阻变特性 | 第64-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士期间完成的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
