| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-24页 |
| ·太阳能电池分类及特点 | 第10-12页 |
| ·单晶硅太阳能电池 | 第10-11页 |
| ·多晶硅太阳能电池 | 第11页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池 | 第11-12页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物太阳能电池 | 第12页 |
| ·ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物太阳能电池 | 第12-14页 |
| ·CIGSe薄膜太阳能电池 | 第12-13页 |
| ·CIS薄膜太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第14-17页 |
| ·半导体的能带结构 | 第14-15页 |
| ·半导体材料的掺杂 | 第15页 |
| ·PN结的形成与光电转换机制 | 第15-17页 |
| ·CIS太阳能电池基本结构 | 第17-18页 |
| ·CIS薄膜太阳能电池制备技术 | 第18-19页 |
| ·用第一性原理方法计算CIS和CuI的研究现状 | 第19-21页 |
| ·用第一性原理方法计算CIS的研究现状 | 第19-20页 |
| ·用第一性原理方法计算CuI的研究现状 | 第20-21页 |
| ·本论文的目的意义及组织结构 | 第21-24页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第21-22页 |
| ·本论文的组织结构 | 第22-24页 |
| 第二章 理论方法 | 第24-42页 |
| ·密度泛函理论 | 第24-27页 |
| ·多粒子薛定谔方程及绝热近似 | 第24-25页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第25页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第25-27页 |
| ·交换关联近似 | 第27页 |
| ·超越密度泛函理论 | 第27-31页 |
| ·L(S)DA+U | 第27-29页 |
| ·杂化密度泛函 | 第29-31页 |
| ·PBE0泛函 | 第29-30页 |
| ·HSE03/06泛函 | 第30-31页 |
| ·第一性原理平面波方法 | 第31-33页 |
| ·基于平面波基的Kohn-Sham方程 | 第31-32页 |
| ·k空间积分 | 第32页 |
| ·赝势方法 | 第32-33页 |
| ·VASP计算软件 | 第33-35页 |
| ·VASP的简单介绍 | 第33-34页 |
| ·VASP程序总体结构 | 第34页 |
| ·VASP重要输入文件 | 第34-35页 |
| ·第一原理计算半导体材料中点缺陷性质的方法 | 第35-42页 |
| ·缺陷形成能 | 第35-40页 |
| ·跃迁能级 | 第40-42页 |
| 第三章 太阳能电池半导体材料CuInS_2完整晶体及点缺陷性质 | 第42-76页 |
| ·计算方法与模型 | 第42-45页 |
| ·CIS完整晶体的结构性质 | 第45-50页 |
| ·CIS基本物理参数与GGA+U中U的关系 | 第45-48页 |
| ·PBE、GGA+U和HSE06方法对CIS基本物理参数的计算 | 第48-50页 |
| ·CIS完整晶体的电子性质 | 第50-62页 |
| ·GGA+U中不同U值计算CIS能带结构及态密度 | 第50-57页 |
| ·PBE、GGA+U和HSE06方法计算CIS能带结构及态密度 | 第57-62页 |
| ·CIS晶体中的点缺陷性质 | 第62-74页 |
| ·PBE-GGA方法计算CIS中点缺陷形成能和跃迁能级 | 第62-66页 |
| ·GGA+U方法计算CIS中点缺陷跃迁能级 | 第66-69页 |
| ·V_(Cu)跃迁能级ε(0/1-)与GGA+U中U的关系 | 第66-67页 |
| ·GGA+U方法计算CIS中各种点缺陷跃迁能级 | 第67-69页 |
| ·HSE06-GGA方法计算CIS中点缺陷形成能和跃迁能级 | 第69-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第四章 太阳能电池半导体材料CuI完整晶体及点缺陷性质 | 第76-96页 |
| ·计算方法与模型 | 第76-79页 |
| ·CuI完整晶体的结构性质 | 第79-80页 |
| ·CuI完整晶体的电子性质 | 第80-87页 |
| ·CuI晶体中的点缺陷性质 | 第87-95页 |
| ·PBE-GGA方法计算CuI中点缺陷形成能和跃迁能级 | 第88-90页 |
| ·GGA+U方法计算CuI中点缺陷跃迁能级 | 第90-91页 |
| ·HSE06-GGA方法计算CuI中点缺陷形成能和跃迁能级 | 第91-95页 |
| ·本章小结 | 第95-96页 |
| 第五章 结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-106页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
