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一维硫属化合物纳米材料的可控合成及相关NANO/MEMS器件特性研究

摘要第1-10页
 ABSTRACT第10-12页
 致谢第12-20页
第一章 绪论第20-30页
   ·引言第20-21页
   ·一维纳米材料可控合成第21-22页
   ·纳米光电器件的研究现状第22-26页
   ·有关MEMS 器件表面粘附力的研究现状第26页
   ·本文选题背景、研究动机和总体结构第26-30页
第二章 CdE(E=S, Se)、PbS 纳米线/棒阵列的气相合成及发光研究第30-53页
   ·CdE (E=S, Se) 纳米线阵列的气相合成及发光研究第30-45页
     ·CdE(E=S, Se) 的基本性质、晶体结构第30-32页
     ·一维CdS 纳米材料的气相合成研究现状第32-34页
     ·一维CdE 纳米材料的光电性质研究现状第34-37页
     ·CdE (E=S, Se) 纳米线阵列的制备与发光性质第37-45页
       ·一维纳米材料制备的实验装置第37-38页
       ·CdE 纳米阵列制备的实验过程第38-39页
       ·CdSe 纳米线阵列的结构表征与光学性质第39-43页
       ·CdS 纳米线阵列的结构表征第43-45页
   ·PbS 纳米棒阵列的制备及表征第45-52页
     ·引言第45-46页
     ·实验部分第46页
     ·PbS 纳米棒阵列的物相与结构第46-47页
     ·PbS 纳米棒阵列的形貌演变及生长机制第47-52页
   ·本章小结第52-53页
第三章 三元合金化及掺杂CdE 半导体纳米带的合成与发光研究第53-71页
   ·硫化法制备组分均一可控CdS_XSe_(1-X) 纳米带及发光研究第53-61页
     ·前言第53-54页
     ·实验部分第54页
     ·结果表征与讨论第54-61页
       ·产物形貌与晶体结构表征第54-56页
       ·三元纳米带的生长机理第56-58页
       ·CdS_XSe_(1-X) 的光致发光与激光研究第58-61页
   ·氢辅助法制备Mn 掺杂CdS 纳米带及发光性质的研究第61-70页
     ·引言第61-62页
     ·实验部分第62页
     ·结果和讨论第62-70页
   ·本章小结第70-71页
第四章 CdS_XSe_(1-X)纳米带场效应管的制备与性能研究第71-79页
   ·有关半导体纳米线/带场效应管的研究进展第71页
   ·基于一维半导体纳米线/带的FET 制备工艺方法第71-74页
     ·纳米器件的制备工艺第71-74页
     ·纳米带FET 制备工艺流程第74页
   ·CdS_XSe_(1-X) 纳米带FET 性能研究第74-78页
   ·本章小结第78-79页
第五章 基于CdS、CdSe 纳米线阵列场发射原型器件研究第79-89页
   ·场发射基本原理第79页
   ·场发射测试方法及原理第79-80页
   ·CdSe 、CdS 纳米线阵列的场发射性质第80-87页
     ·一维无机半导体纳米结构的场发射研究现状第80-81页
     ·CdSe 纳米线阵列的场发射性能研究第81-84页
     ·CdS 纳米线阵列的场发射性能研究第84-87页
   ·本章小结第87-89页
第六章MEMS 器件表面粘附力的研究第89-111页
   ·应用双固支梁结构(DCB)测定多晶硅表面的粘附力第89-104页
     ·引言第89-90页
     ·实验部分第90-92页
       ·器件结构的制造与表面处理第90-92页
       ·器件表面粘附力的测量第92页
     ·结果和讨论第92-104页
       ·表面性质第92-93页
       ·DCB 结构的刚度分析第93-96页
       ·有限元模拟第96-101页
       ·粘附力的确定第101页
       ·不同环境下的粘附力第101-104页
     ·结论第104页
   ·应用悬臂梁阵列(CBA)测定多晶硅表面吸附能第104-109页
     ·引言第104-105页
     ·实验过程第105-106页
     ·结果讨论第106-109页
     ·结论第109页
   ·本章小结第109-111页
第七章 全文总结第111-113页
参考文献第113-128页
攻读博士学位期间完成的论文与专利第128-131页

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