| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-14页 |
| 致谢 | 第14-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-42页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·纳米材料的研究对象与研究内容 | 第22-24页 |
| ·纳米材料的概念 | 第22页 |
| ·纳米材料的特性 | 第22-24页 |
| ·一维纳米材料的研究进展和发展趋势 | 第24-35页 |
| ·一维纳米材料的合成制备 | 第24-27页 |
| ·实验条件对产物形貌的影响 | 第27-32页 |
| ·一维半导体纳米线的物性 | 第32-35页 |
| ·本文选题背景与研究内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-42页 |
| 第二章 Ga_2O_3/In_2O_3 三维纳米分级结构研究 | 第42-54页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·实验装置和制备方法 | 第42-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 三元链球状化合物In_2Ge_2O_7和ZnGeO_3的合成、表征与发光性能研究 | 第54-70页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·实验过程 | 第54-55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-65页 |
| ·形貌分析 | 第55-57页 |
| ·In_2Ge_2O_7 纳米带的结构与成分 | 第57-58页 |
| ·链球状In_2Ge_2O_7 芯/非晶GeO_2 壳纳米电缆的结构与成分 | 第58-59页 |
| ·带状和链球状In_2Ge_2O_7 纳米结构的生长机制 | 第59-61页 |
| ·链球状GeO_2/ZnGeO_3 纳米结构的生长机制 | 第61-63页 |
| ·光致发光性能研究 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 第四章 In 掺杂ZnO 和In 掺杂Ga_2O_3纳米材料的制备 | 第70-92页 |
| ·引言 | 第70页 |
| ·In 掺杂ZnO | 第70-81页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·实验过程 | 第71页 |
| ·实验结果与讨论 | 第71-81页 |
| ·In 掺杂Ga_2O_3 | 第81-89页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·实验过程 | 第81-82页 |
| ·实验结果与讨论 | 第82-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-92页 |
| 第五章 三元氧化物ZnGa_2O_4、Zn_2SnO_4纳米线的气相合成、生长机制和发光性能研究 | 第92-107页 |
| ·引言 | 第92页 |
| ·实验过程 | 第92-93页 |
| ·ZnGe_2O_4 制备 | 第92-93页 |
| ·Zn_2SnO_4 制备 | 第93页 |
| ·实验结果与讨论 | 第93-104页 |
| ·纳米线的形貌 | 第93-97页 |
| ·纳米线的XRD 分析 | 第97-98页 |
| ·纳米线的TEM分析 | 第98-101页 |
| ·纳米线的生长机制 | 第101-103页 |
| ·纳米线的发光性能 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第六章 A1_2O_3/ SiO_2、ZnS/SiO_2同轴纳米异质结 | 第107-122页 |
| ·引言 | 第107-108页 |
| ·实验过程 | 第108页 |
| ·Al_2O_3/ SiO_2 的制备 | 第108页 |
| ·ZnS/SiO2 的制备 | 第108页 |
| ·实验结果与讨论 | 第108-117页 |
| ·纳米线的形貌 | 第108-111页 |
| ·结构分析 | 第111-114页 |
| ·生长机制 | 第114-115页 |
| ·发光性能 | 第115-117页 |
| ·本章小结 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-122页 |
| 第七章 结论与展望 | 第122-125页 |
| ·本文主要研究内容 | 第122-123页 |
| ·展望 | 第123-125页 |
| 攻读博士学位期间参与项目和完成论文 | 第125-127页 |
