薄层液膜下及光照辐射条件下电化学调控制备Sol-gel薄膜
| 致谢 | 第1-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-45页 |
| ·Sol-gel硅烷成膜的原理 | 第13-14页 |
| ·硅烷Sol-gel薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| ·概述 | 第14-15页 |
| ·旋涂法 | 第15页 |
| ·浸涂法 | 第15-16页 |
| ·浸渍提拉法 | 第16页 |
| ·电泳法 | 第16页 |
| ·电化学辅助沉积法 | 第16-17页 |
| ·Sol-gel硅烷薄膜的应用 | 第17-25页 |
| ·金属材料表面防护预处理 | 第17-19页 |
| ·电化学和生物传感器 | 第19-22页 |
| ·催化薄膜 | 第22-24页 |
| ·表面修饰与改性 | 第24-25页 |
| ·电化学辅助沉积Sol-gel硅烷膜的研究进展 | 第25-30页 |
| ·电化学辅助沉积SiO_2 | 第25-27页 |
| ·电化学辅助沉积防护性硅烷膜 | 第27-28页 |
| ·电沉积功能性硅烷复合膜 | 第28-30页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-45页 |
| 第二章 实验部分 | 第45-48页 |
| ·实验用主要试剂 | 第45页 |
| ·Sol-gel膜的制备 | 第45-46页 |
| ·Sol-gel硅烷膜的表征 | 第46-48页 |
| ·耐蚀性能测试 | 第46页 |
| ·物理表征 | 第46-48页 |
| 第三章 薄液膜下电化学沉积硅烷防护薄膜 | 第48-66页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验方法 | 第49-52页 |
| ·基体预处理 | 第49-50页 |
| ·硅烷前驱体溶液配置 | 第50-51页 |
| ·薄液膜沉积装置 | 第51-52页 |
| ·样品制备 | 第52页 |
| ·样品表征 | 第52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-62页 |
| ·薄液膜下最佳沉积电位的选取 | 第52-53页 |
| ·不同液膜厚度下沉积硅烷膜的性能 | 第53-56页 |
| ·硅烷膜的物理结构与形貌 | 第56-59页 |
| ·电化学动力学分析 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 第四章 光控电沉积二氧化硅薄膜 | 第66-85页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·实验内容和方法 | 第67-68页 |
| ·基体预处理 | 第67页 |
| ·Cu_2O薄膜的制备 | 第67页 |
| ·硅烷前驱体溶液配制 | 第67-68页 |
| ·二氧化硅薄膜的光电沉积 | 第68页 |
| ·电流—电位(Ⅰ—Ⅴ)特性测试 | 第68页 |
| ·样品表征 | 第68页 |
| ·实验原理 | 第68-69页 |
| ·实验结果与讨论 | 第69-80页 |
| ·电沉积制备Cu_2O的表征 | 第69-70页 |
| ·光生电子促进阴极还原过程的机理 | 第70-72页 |
| ·光照强度的影响 | 第72-75页 |
| ·阴极电位的影响 | 第75-77页 |
| ·沉积时间的影响 | 第77-78页 |
| ·Cu_2O基体的稳定性 | 第78页 |
| ·光控调控薄膜的尺寸和形貌 | 第78-79页 |
| ·光控电沉积基体的多样性 | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 第五章 总结与展望 | 第85-86页 |
| 附录：攻读硕士期间取得的科研成果 | 第86页 |
