具采样及抗辐照加固功能的高压DMOS设计
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-15页 |
| ·抗辐照功率VDMOS器件发展概况 | 第9-12页 |
| ·国内外发展动态 | 第12-13页 |
| ·本文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 VDMOS器件基本原理及其辐照理论简介 | 第15-31页 |
| ·VDMOS器件基本原理简介 | 第15-21页 |
| ·VDMOS结构演化历程 | 第15-18页 |
| ·VVMOS | 第15-16页 |
| ·VUMOS | 第16-17页 |
| ·VDMOS | 第17-18页 |
| ·VDMOS基本原理简介 | 第18-21页 |
| ·VDMOS器件主要电学参数介绍 | 第18-20页 |
| ·VDMOS器件工作原理简介 | 第20-21页 |
| ·抗辐照加固理论简介 | 第21-30页 |
| ·辐照环境 | 第21-22页 |
| ·辐照损伤机制 | 第22-23页 |
| ·位移效应 | 第22页 |
| ·电离效应 | 第22-23页 |
| ·表面效应 | 第23页 |
| ·总剂量辐照效应 | 第23-25页 |
| ·电离辐照损伤机制 | 第23-24页 |
| ·总剂量辐照效应对VDMOS器件的影响 | 第24-25页 |
| ·单粒子效应 | 第25-28页 |
| ·单粒子辐照损伤机制 | 第26页 |
| ·单粒子烧毁(SEU) | 第26-27页 |
| ·单粒子栅穿(SEGR) | 第27-28页 |
| ·抗辐照加固技术 | 第28-30页 |
| ·半导体分立器件加固 | 第28-29页 |
| ·集成电路加固 | 第29页 |
| ·电子系统加固 | 第29页 |
| ·MOS类器件加固 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 VDMOS设计流程 | 第31-59页 |
| ·具抗总剂量辐照加固功能的高压VDMOS的设计 | 第31-43页 |
| ·主要参数指标要求 | 第31-32页 |
| ·结构参数设计 | 第32-40页 |
| ·元胞结构设计 | 第32-37页 |
| ·终端结构设计 | 第37-40页 |
| ·工艺流程设计 | 第40-43页 |
| ·仿真设计 | 第43-58页 |
| ·工艺仿真软件介绍 | 第43-45页 |
| ·元胞仿真 | 第45-52页 |
| ·元胞工艺仿真 | 第46页 |
| ·元胞击穿电压仿真 | 第46-47页 |
| ·元胞阈值电压仿真 | 第47页 |
| ·元胞导通电阻仿真 | 第47-48页 |
| ·元胞总剂量辐照仿真 | 第48-52页 |
| ·终端仿真 | 第52-58页 |
| ·终端工艺仿真 | 第52页 |
| ·终端击穿电压仿真 | 第52-54页 |
| ·终端总剂量辐照仿真 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 采样设计及版图绘制 | 第59-67页 |
| ·采样设计 | 第59-62页 |
| ·采样结构设计 | 第59-62页 |
| ·器件整体版图实现 | 第62-66页 |
| ·元胞 | 第62页 |
| ·终端 | 第62-63页 |
| ·栅PAD | 第63页 |
| ·整体版图 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第72页 |
