锗和氧化锗材料制备新方法的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 文献综述 | 第10-29页 |
| ·锗的简介 | 第10-11页 |
| ·锗材料的优良性质 | 第11-12页 |
| ·锗材料在电子领域的应用 | 第12-14页 |
| ·锗整流器 | 第12页 |
| ·GOIMOSFETs | 第12页 |
| ·作为Ⅲ-Ⅴ族外延模版的GOI | 第12页 |
| ·锗器件的电学性质 | 第12-13页 |
| ·锗纳米电子器件 | 第13页 |
| ·迁移率 | 第13-14页 |
| ·锗在太阳能电池中的应用 | 第14-16页 |
| ·太阳能电池现状 | 第14-15页 |
| ·锗多结太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·锗材料的其他性质和应用 | 第16-18页 |
| ·锗基光波导 | 第16页 |
| ·布里渊区折叠 | 第16页 |
| ·光电子学性质和应用 | 第16-17页 |
| ·催化作用 | 第17页 |
| ·锂离子电池正极材料 | 第17-18页 |
| ·二氧化锗材料 | 第18页 |
| ·二氧化锗材料简介 | 第18页 |
| ·二氧化锗材料制备方法 | 第18页 |
| ·锗-二氧化锗复合材料 | 第18-26页 |
| ·半导体-氧化物结构简介 | 第18-19页 |
| ·电容-电压曲线 | 第19-20页 |
| ·半导体-氧化物结构的应用 | 第20页 |
| ·纳米半导体材料的基本特性 | 第20-21页 |
| ·激光法制备纳米材料 | 第21-24页 |
| ·激光法制备纳米材料的特点 | 第21页 |
| ·激光器的种类 | 第21-22页 |
| ·CO2激光器 | 第22-23页 |
| ·激光诱导化学气相沉积法 | 第23页 |
| ·激光高温烧蚀法 | 第23页 |
| ·激光分子束外延 | 第23页 |
| ·激光蒸凝法 | 第23-24页 |
| ·激光法制备各种纳米材料 | 第24-26页 |
| ·锗材料的供应和生产流程 | 第26-27页 |
| ·锗的供应 | 第26页 |
| ·锗原材料生产流程 | 第26页 |
| ·锗晶体生长 | 第26-27页 |
| ·锗片制造的概述 | 第27页 |
| ·本论文的思路、目的及意义 | 第27-29页 |
| 第二章 等温蒸发法制备锗薄膜 | 第29-47页 |
| ·实验试剂 | 第29-30页 |
| ·实验仪器 | 第30页 |
| ·实验过程 | 第30-34页 |
| ·实验流程 | 第30-31页 |
| ·玻璃基片的清洁 | 第31页 |
| ·不同表面基底的制备 | 第31-34页 |
| ·试样测试表征 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-45页 |
| ·锗粉末蒸发源制备的机理 | 第34页 |
| ·膜生长的热力学分析 | 第34-36页 |
| ·改变冷却速度的实验 | 第36-37页 |
| ·不同蒸发时间下锗薄膜的形貌 | 第37-40页 |
| ·锗薄膜与玻璃的结合力 | 第40-42页 |
| ·蒸发温度对锗薄膜的影响 | 第42-43页 |
| ·界面对薄膜结构的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备Sn掺杂GeO_2粉体 | 第47-56页 |
| ·实验试剂 | 第47页 |
| ·实验仪器 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·试样测试表征 | 第48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-51页 |
| ·晶体结构和元素组成分析 | 第48-50页 |
| ·微观形貌分析 | 第50-51页 |
| ·禁带宽度，发光性质和分子结构分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 Ge/GeO_2核壳结构 | 第56-65页 |
| ·实验试剂 | 第56页 |
| ·实验仪器 | 第56页 |
| ·试样测试表征 | 第56-57页 |
| ·实验过程 | 第57-58页 |
| ·激光热蒸发设备的结构 | 第57-58页 |
| ·激光热熔过程 | 第58页 |
| ·获取锗纳米粉体 | 第58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-64页 |
| ·激光热蒸发的机理及产物的分析 | 第58-59页 |
| ·产物的形貌和结构分析 | 第59-62页 |
| ·产物的红外光谱分析 | 第62-63页 |
| ·锗核的晶体结构 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 今后研究工作设想 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第71-72页 |
