| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-38页 |
| ·一维纳米材料概述 | 第12-13页 |
| ·一维纳米材料的制备 | 第13-27页 |
| ·纳米线与纳米带的制备 | 第15-18页 |
| ·纳米管的制备 | 第18-22页 |
| ·一维异质纳米材料的制备 | 第22-24页 |
| ·CNTs 的表面修饰 | 第24-27页 |
| ·一维纳米材料的应用 | 第27-31页 |
| ·一维纳米材料的研究热点 | 第31-34页 |
| ·形貌控制 | 第31页 |
| ·生长位置控制与图案化生长 | 第31-33页 |
| ·尺寸控制 | 第33页 |
| ·生长方向控制 | 第33-34页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第34-38页 |
| 第2章 六方ZnS 单晶纳米线阵列的低温合成 | 第38-52页 |
| ·引言 | 第38-40页 |
| ·实验方法 | 第40-43页 |
| ·PAT 的制备 | 第40-41页 |
| ·六方ZnS 纳米线阵列的制备 | 第41-43页 |
| ·实验结果与讨论 | 第43-51页 |
| ·PAT 的表征 | 第43-44页 |
| ·六方 ZnS 纳米线阵列的制备及表征 | 第44-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 电沉积六方CdS 纳米线阵列的取向控制生长 | 第52-72页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·实验方法 | 第53-54页 |
| ·实验结果与讨论 | 第54-71页 |
| ·六方CdS 纳米线阵列的制备 | 第54-59页 |
| ·六方CdS 晶体的表面能 | 第59-62页 |
| ·电结晶理论 | 第62-70页 |
| ·六方CdS 单晶纳米线阵列的形成过程 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第4章 直径对电沉积纳米线阵列取向生长的影响 | 第72-90页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·实验方法 | 第73-75页 |
| ·实验结果与讨论 | 第75-89页 |
| ·六方CdSe 纳米线阵列的制备及表征 | 第75-82页 |
| ·六方CdSe 纳米线阵列取向形成机制 | 第82-87页 |
| ·六方CdSe 纳米线阵列的光学性质 | 第87-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第5章 CdS/MWCNTs 壳芯异质结构的合成及表征 | 第90-100页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·实验方法 | 第91页 |
| ·实验结果与讨论 | 第91-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第6章 ZnS/ZnO 壳芯和ZnS 空心纳米针的合成及表征 | 第100-112页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·实验方法 | 第101页 |
| ·实验结果与讨论 | 第101-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 结论 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-134页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第134-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 作者简介 | 第138页 |
