| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·半导体材料的发展 | 第10页 |
| ·研究硅基发光的意义 | 第10-11页 |
| ·硅基发光的研究进展 | 第11-15页 |
| ·纳米硅发光 | 第11-12页 |
| ·掺铒硅发光 | 第12-13页 |
| ·硅的超晶格发光 | 第13-14页 |
| ·第三代半导体发光 | 第14-15页 |
| ·SiC半导体材料 | 第15-19页 |
| ·SiC发光材料的研究 | 第15-16页 |
| ·SiC的制备 | 第16-19页 |
| ·本文的选题依据与主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 样品的制备方法与表征手段 | 第21-23页 |
| ·样品的制备方法 | 第21-22页 |
| ·衬底的清洗 | 第21页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第21-22页 |
| ·样品的表征 | 第22-23页 |
| ·傅里叶变换红外吸收(FTIR) | 第22页 |
| ·光致发光(PL) | 第22-23页 |
| 第三章 富nc-SiC的SiO_2薄膜制备方案的验证 | 第23-27页 |
| ·实验结果与分析 | 第23-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第四章 富nc-SiC的SiO_2薄膜制备条件的优化 | 第27-35页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第27-28页 |
| ·氧气流速对薄膜光致发光特性的影响 | 第28-29页 |
| ·衬底温度对薄膜光致发光特性的影响 | 第29-30页 |
| ·退火温度对薄膜光致发光特性的影响 | 第30-32页 |
| ·退火时间对薄膜光致发光特性的影响 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 波长可调的nc-SiC量子点制备 | 第35-38页 |
| ·样品的制备 | 第35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第六章 结论 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-42页 |
| 作者简历 | 第42-44页 |
| 学位论文数据集 | 第44页 |