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Ga掺杂CuInSe2电子结构和光学性质的第一性原理研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
第一章 引言第7-11页
 (一) 研究背景第7-10页
  1 CuInSe_2薄膜太阳能电池第7-8页
  2 Ga掺杂CuInSe_2第8-10页
 (二) 本文的主要工作第10-11页
第二章 理论基础和计算方法第11-23页
 (一) 密度泛函理论第11-16页
  1 绝热近似第11-12页
  2 Hohenberg-Kohn定理第12-14页
  3 Kohn-Sham方程第14-15页
  4 交换关联泛函第15-16页
 (二) 线性缀加平面波方法第16-18页
 (三) Wien2k软件包第18-20页
 (四) 半导体带间光跃迁第20-23页
  1 光吸收的描述第20-21页
  2 介电函数的虚部第21-22页
  3 光吸收系数第22-23页
第三章 Ga掺杂CuInSe_2电子结构的第一性原理研究第23-35页
 (一) 晶体结构及计算细节第23-25页
  1 CuInSe_2晶体结构第23页
  2 计算细节第23-25页
 (二) 结果与讨论第25-34页
  1 电子结构第25-32页
  2 光学性质第32-34页
 (三) 总结第34-35页
参考文献第35-38页
致谢第38页

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