| 第一章 概述 | 第1-13页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 SiC材料制备 | 第8-10页 |
| 1．3 SiC的应用 | 第10-12页 |
| 1．4 本论文的工作 | 第12-13页 |
| 第二章 Si衬底上3C-SiC薄膜的外延生长 | 第13-22页 |
| 2．1 3C-SiC外延生长的回顾 | 第13页 |
| 2．2 3C-SiC外延层CVD生长的气体动力学分析 | 第13-16页 |
| 2．3 Si衬底的碳化 | 第16-19页 |
| 2．4 对生长条件的探索 | 第19-20页 |
| 2．5 小结 | 第20-22页 |
| 第三章 3C-SiC薄膜生长实验与分析 | 第22-32页 |
| 3．1 3C-SiC外延生长实验 | 第22-23页 |
| 3．2 生长薄膜的X射线衍射分析 | 第23-25页 |
| 3．3 薄膜化学组分分析 | 第25-28页 |
| 3．4 薄膜生长速率与工艺参数的关系 | 第28-29页 |
| 3．5 生长薄膜表面形貌分析 | 第29-30页 |
| 3．6 APCVD法生长硅基3C-SiC薄膜的可能机制 | 第30-31页 |
| 3．7 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 3C-SiC薄膜的掺杂技术 | 第32-37页 |
| 4．1 SiC的掺杂技术 | 第32-33页 |
| 4．2 3C-SiC薄膜的掺杂实验 | 第33-35页 |
| 4．3 3C-SiC薄膜电阻率的测量与分析 | 第35页 |
| 4．4 小结 | 第35-37页 |
| 第五章 3C-SiC与金属的欧姆接触 | 第37-48页 |
| 5．1 欧姆接触 | 第37页 |
| 5．2 金属—碳化硅的接触势垒 | 第37-38页 |
| 5．3 SiC与金属欧姆接触的理论分析 | 第38-40页 |
| 5．4 金属与SiC接触特性的测试 | 第40-44页 |
| 5．5 3C-SiC与金属接触特性测试实验 | 第44-47页 |
| 5．6 小结 | 第47-48页 |
| 第六章 SiC高温压力传感器设计 | 第48-59页 |
| 6．1 半导体压阻效应与压阻系数 | 第48-49页 |
| 6．2 3C-SiC压阻效应 | 第49-50页 |
| 6．3 传感器弹性元件的力学分析 | 第50-51页 |
| 6．4 传感器力敏电路设计 | 第51-52页 |
| 6．5 3C-SiC力敏电阻位置设计 | 第52-53页 |
| 6．6 3C-SiC弹性膜片几何尺寸的设计 | 第53-55页 |
| 6．7 3C-SiC高温压力传感器结构设计 | 第55-56页 |
| 6．8 SiC高温压力传感器版图设计 | 第56-57页 |
| 6．9 SiC高温压力传感器工艺流程设计 | 第57-58页 |
| 6．10 小结 | 第58-59页 |
| 第七章 SiC高温压力传感器封装与测试 | 第59-62页 |
| 7．1 SiC高温压力传感器敏感元件的封装 | 第59-60页 |
| 7．2 高温压力传感器的可靠性设计 | 第60页 |
| 7．3 SiC高温压力传感器测试报告 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 个人研究成果 | 第66页 |