| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·高K 栅介质材料研究进展和研究意义 | 第8-11页 |
| ·采用高k 栅电极的必要性 | 第8-9页 |
| ·MOSFET 栅介质层的性能要求 | 第9-10页 |
| ·高k 栅介质研究动态 | 第10-11页 |
| ·HF 基高K 材料研究现状 | 第11-13页 |
| ·金属栅电极研究概述 | 第13-14页 |
| ·高K 材料和金属栅电极技术的发展 | 第14-16页 |
| ·本论文主要工作和结构安排 | 第16-18页 |
| 2 MOSFET 迁移率模型研究 | 第18-28页 |
| ·引言 | 第18-20页 |
| ·MOSFET 中的散射机制 | 第20-25页 |
| ·电离杂质散射 | 第20-21页 |
| ·晶格振动散射 | 第21-24页 |
| ·其他因素引起的散射 | 第24-25页 |
| ·MOSFET 迁移率模型研究方法 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 高K 栅介质金属栅电极迁移率模型 | 第28-50页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·软光学声子散射 | 第29-30页 |
| ·高K 栅介质金属栅电极迁移率模型的建立 | 第30-37页 |
| ·色散关系 | 第30-35页 |
| ·表面光学声子迁移率 | 第35-37页 |
| ·模拟结果和分析 | 第37-49页 |
| ·色散结果及分析 | 第38-40页 |
| ·光学声子迁移率模拟结果及分析 | 第40-44页 |
| ·总有效迁移率模拟结果及理论分析 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 4 叠层高K 栅介质GE MOS 电容制备工艺及电性能研究 | 第50-67页 |
| ·测量方法 | 第50-56页 |
| ·界面态的测量方法 | 第52-55页 |
| ·边界陷阱密度测量方法 | 第55-56页 |
| ·GE MOS 电容退火工艺研究 | 第56-60页 |
| ·样品制备 | 第56-58页 |
| ·样品测试及分析 | 第58-60页 |
| ·HFTAO(N)/ALON 叠层栅介质MOS 电容制备及电特性分析 | 第60-63页 |
| ·工艺过程 | 第60-61页 |
| ·样品测试及分析 | 第61-63页 |
| ·HFTAO(N)/TAON 叠层栅介质MOS 电容制备及电特性分析 | 第63-66页 |
| ·工艺过程以及样品制备 | 第63-64页 |
| ·样品分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 5 总结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
