基于FDTD方法的泄漏同轴电缆辐射场的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-14页 |
| ·泄漏同轴电缆简介 | 第9-10页 |
| ·FDTD方法简介及特点 | 第10-12页 |
| ·论文安排 | 第12-14页 |
| 第2章 泄漏同轴电缆基本理论 | 第14-22页 |
| ·泄漏同轴电缆的结构 | 第14-15页 |
| ·泄漏同轴电缆的分类 | 第15-17页 |
| ·耦合型泄漏同轴电缆 | 第16页 |
| ·辐射型泄漏同轴电缆 | 第16-17页 |
| ·泄漏同轴电缆的主要电气特性指标 | 第17-21页 |
| ·使用频带 | 第18-19页 |
| ·耦合损耗 | 第19-20页 |
| ·传输损耗 | 第20-21页 |
| ·耦合损耗和辐射损耗的关系 | 第21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第3章 时域有限差分方法理论 | 第22-36页 |
| ·FDTD方程 | 第22-25页 |
| ·标量Maxwell方程 | 第22-23页 |
| ·FDTD迭代方程 | 第23-25页 |
| ·FDTD的数值理论 | 第25-26页 |
| ·吸收边界条件 | 第26-28页 |
| ·非材料吸收边界条件 | 第27-28页 |
| ·材料吸收边界条件 | 第28页 |
| ·激励源的类型和设置 | 第28-29页 |
| ·近—远场外推 | 第29-33页 |
| ·频域近—远场变换 | 第29-31页 |
| ·时域近—远场变换 | 第31-33页 |
| ·FDTD实例 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 Z变换在FDTD方法中的应用 | 第36-49页 |
| ·Z变换应用于色散媒质FDTD计算 | 第36-42页 |
| ·Z变换方法 | 第37页 |
| ·应用Z变换推导色散媒质中的FDTD迭代公式 | 第37-39页 |
| ·仿真结果 | 第39-42页 |
| ·Z变换改进PML吸收边界方法 | 第42-48页 |
| ·实现PML介质层参数要求 | 第42-44页 |
| ·使用Z变换实现二维PML参数设定 | 第44-46页 |
| ·仿真结果 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 基于FDTD法的泄漏同轴电缆辐射场的研究 | 第49-66页 |
| ·圆柱坐标系下的FDTD公式 | 第49-54页 |
| ·圆柱坐标系下PML表达式 | 第54-57页 |
| ·用FDTD方法求解泄漏同轴电缆辐射场的步骤 | 第57-58页 |
| ·仿真结果及性能分析 | 第58-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文和取得的科研成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
