钼硅化物的场发射研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·场发射阵列阴极的分类 | 第11-12页 |
| ·场致发射的应用 | 第12-16页 |
| ·平板显示 | 第12-13页 |
| ·微波器件 | 第13-15页 |
| ·其它方面 | 第15-16页 |
| ·课题研究内容及论文结构 | 第16-18页 |
| 第二章 场发射的基本理论 | 第18-27页 |
| ·场致发射基本原理 | 第18-22页 |
| ·表面势垒与电子发射 | 第18-19页 |
| ·金属场致发射 | 第19-21页 |
| ·半导体场致发射 | 第21-22页 |
| ·内场致发射 | 第22页 |
| ·影响场发射的因素 | 第22-27页 |
| ·温度 | 第22-23页 |
| ·控制电压 | 第23页 |
| ·几何参数 | 第23-25页 |
| ·材料 | 第25-27页 |
| 第三章 阵列薄膜改性研究 | 第27-33页 |
| ·硅基尖锥阵列薄膜的制备 | 第27-29页 |
| ·二极管阵列薄膜的制备 | 第27-28页 |
| ·三极管阵列薄膜的制备 | 第28页 |
| ·Spindt型阵列薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·阵列薄膜制备方法的选取 | 第29-30页 |
| ·硅基尖锥阵列薄膜材料 | 第30-31页 |
| ·金属硅化物及课题材料选取 | 第31-33页 |
| 第四章 刀口型边缘微尖的制备 | 第33-50页 |
| ·刀口型微尖上制备钼硅化物薄膜总工艺流程 | 第33-34页 |
| ·基片清洗 | 第34-36页 |
| ·RCA清洗液 | 第34-35页 |
| ·清洗工序 | 第35-36页 |
| ·刀口型边缘微尖的制备 | 第36-49页 |
| ·高温氧化工艺 | 第36-38页 |
| ·氮化硅薄膜的制备工艺 | 第38-40页 |
| ·光刻及去除氮化硅层工艺 | 第40页 |
| ·预氧层和部分鸟嘴的去除工艺 | 第40-41页 |
| ·混酸刻蚀工艺 | 第41-47页 |
| ·氧化削尖工艺 | 第47-49页 |
| ·总结 | 第49-50页 |
| 第五章 钼硅化物薄膜的制备 | 第50-59页 |
| ·钼硅化物薄膜的制备 | 第50-53页 |
| ·镀钼工艺 | 第50-53页 |
| ·退火制备钼硅化物薄膜工艺 | 第53-58页 |
| ·马弗炉中退火 | 第53-54页 |
| ·高温氧化炉退火 | 第54-55页 |
| ·真空系统快速退火 | 第55-58页 |
| ·总结 | 第58-59页 |
| 第六章 场发射性能测试 | 第59-72页 |
| ·动态真空系统场发射测试 | 第59-67页 |
| ·动态真空测试系统装置 | 第59-62页 |
| ·测试结果及分析 | 第62-67页 |
| ·静态真空系统场发射测试 | 第67-70页 |
| ·静态真空测试系统装置 | 第67-68页 |
| ·测试结果及分析 | 第68-70页 |
| ·总结 | 第70-72页 |
| 第七章 结束语 | 第72-74页 |
| ·本文主要工作总结 | 第72页 |
| ·工作展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 个人简历 | 第79页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第79页 |
