| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| ·课题背景 | 第10-12页 |
| ·体全息存储技术的特点 | 第10-11页 |
| ·非易失性全息存储技术 | 第11-12页 |
| ·双色全息存储技术的国内外研究现状 | 第12-16页 |
| ·双中心全息存储的理论研究现状 | 第13-14页 |
| ·双掺杂铌酸锂晶体全息存储性能的研究现状 | 第14-15页 |
| ·双掺杂晶体的复用技术研究现状 | 第15页 |
| ·本实验室的研究现状 | 第15-16页 |
| ·课题来源和本论文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 双色全息存储的基本理论 | 第18-31页 |
| ·体全息存储的基本原理 | 第18-20页 |
| ·体全息存储的基本原理 | 第18-19页 |
| ·光折变晶体的全息存储机理 | 第19-20页 |
| ·双色全息存储的基本理论 | 第20-25页 |
| ·双中心全息存储的基本原理 | 第21-22页 |
| ·双色全息存储的动力学方程 | 第22-25页 |
| ·双色全息存储的基本性能参数 | 第25-29页 |
| ·衍射效率 | 第26页 |
| ·记录灵敏度 | 第26-28页 |
| ·动态范围 | 第28-29页 |
| ·影响双色全息性能的因素 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 双掺杂LiNbO3:Fe:Mn 晶体全息性能的研究 | 第31-40页 |
| ·双中心全息存储的带输运方程 | 第31-33页 |
| ·晶体条件对记录灵敏度和动态范围的影响 | 第33-36页 |
| ·浅能级掺杂浓度(N_(Fe))对记录灵敏度和动态范围的影响 | 第33-34页 |
| ·深能级掺杂浓度（N_(Mn)）的影响 | 第34-36页 |
| ·氧化还原状态的影响 | 第36页 |
| ·记录条件对全息性能的影响 | 第36-38页 |
| ·光束比（I_R/I_(UV)）的影响 | 第37-38页 |
| ·短波长的记录光对灵敏度和动态范围的影响 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 双掺杂LiNbO_3:Fe:Cu 晶体全息性能的研究 | 第40-59页 |
| ·铌酸锂晶体中Cu 的微观参量 | 第40-41页 |
| ·晶体条件和记录光条件对全息存储性能的影响 | 第41-45页 |
| ·深浅能级掺杂组分比（N_(Cu)/N_(Fe)）的影响 | 第41-43页 |
| ·氧化还原状态的影响 | 第43-44页 |
| ·光束比（I_R/I_(UV)）的影响 | 第44-45页 |
| ·振荡现象的研究 | 第45-51页 |
| ·振荡现象的分析 | 第45-49页 |
| ·振荡现象的实验研究 | 第49-51页 |
| ·双掺杂LiNbO_3:Fe:Cu 晶体等时复用的研究 | 第51-54页 |
| ·理论分析 | 第52-53页 |
| ·实验验证 | 第53-54页 |
| ·全息时间常数的研究 | 第54-58页 |
| ·晶体条件对记录时间常数和紫外擦除时间常数的影响 | 第55-57页 |
| ·红光固定过程时间常数的研究 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目和发表的文章 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
