| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·Ge纳米粒子镶嵌SiO_2复合材料研究现状 | 第10-16页 |
| ·Ge纳米镶嵌SiO_2复合材料制备技术 | 第11-13页 |
| ·影响Ge纳米镶嵌SiO_2复合材料光致发光性能的因素 | 第13-15页 |
| ·Ge纳米镶嵌SiO_2复合材料发光机理的研究 | 第15-16页 |
| ·莫来石超细粉体制备技术研究进展 | 第16-19页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17-18页 |
| ·共沉淀法 | 第18页 |
| ·水解-沉淀法 | 第18页 |
| ·水热晶化法 | 第18-19页 |
| ·喷雾热解法 | 第19页 |
| ·固溶体选择还原技术研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文研究的目的、意义及主要内容 | 第20-22页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第20-21页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第2章 实验方案及方法 | 第22-27页 |
| ·实验原料和仪器 | 第22-23页 |
| ·实验原料 | 第22页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·体系的选择 | 第23页 |
| ·结构与性能表征 | 第23-27页 |
| ·热重-示差扫描量热分析(TG-DSC) | 第23-24页 |
| ·红外吸收光谱(FTIR) | 第24页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第24页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第24-25页 |
| ·Raman散射光谱及光致发光光谱(PL) | 第25页 |
| ·分析透射电子显微镜(TEM) | 第25-26页 |
| ·反射光谱 | 第26-27页 |
| 第3章 Al_(4+2x)Ge_(2-2x)O_(10-x)陶瓷粉体与Al_(12)(Si_(4-x)Ge_x)O_(26)替位式固溶体的制备 | 第27-41页 |
| ·3-三氯锗丙酸乙醇溶液的制备 | 第27-29页 |
| ·Al_(4+2x)Ge_(2-2x)O_(10-x)(0.25≤x≤0.40)陶瓷粉体的制备 | 第29-34页 |
| ·Al_6Ge_2O_(13)(x=0.25)陶瓷粉体的制备 | 第30-33页 |
| ·Al_(4+2x)Ge_(2-2x)O_(10-x)(0.25≤x≤0.40)陶瓷粉体的制备 | 第33-34页 |
·Al_(12)(Si_(4-x)Ge_x)O_(26)(0| 第34-39页 | |
| ·Al_(12)Si_(3.75)Ge_(0.25)O_(26)(x=0.25)替位式固溶体的制备 | 第35-39页 |
·Al_(12)(Si_(4-x)Ge_x)O_(26)(0| 第39页 | |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 陶瓷基体弥散纳米Ge粒子复合材料的制备、结构与性能 | 第41-55页 |
| ·Ge弥散Al-Ge-O体系的制备、结构与性能 | 第41-48页 |
| ·实验 | 第41-42页 |
| ·不同温度还原的x射线衍射分析 | 第42页 |
| ·不同温度还原的光致发光性能 | 第42-43页 |
| ·550℃还原不同时间的光致发光性能 | 第43-44页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第44-45页 |
| ·Raman散射光谱分析 | 第45-46页 |
| ·反射光谱分析 | 第46-47页 |
| ·还原后粉末的TEM分析 | 第47-48页 |
| ·Ge弥散Al-Si-Ge-O体系的制备与光致发光性能研究 | 第48-53页 |
| ·实验 | 第48页 |
| ·不同温度还原的x射线衍射分析 | 第48-49页 |
| ·不同温度还原的光致发光性能 | 第49-50页 |
| ·500℃还原不同时间的光致发光性能 | 第50-51页 |
| ·X射线光电子能谱分析 | 第51-52页 |
| ·Raman散射光谱分析 | 第52页 |
| ·还原后粉末的TEM分析 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 二次还原制各样品的结构、性能及发光机理的讨论 | 第55-65页 |
| ·Al-Ge-O体系二次还原制备样品的结构与性能 | 第55-58页 |
| ·实验 | 第55页 |
| ·光致发光性能 | 第55-56页 |
| ·Raman散射光谱分析 | 第56-57页 |
| ·TEM分析 | 第57-58页 |
| ·Al-Si-Ge-O体系二次还原制各样品的结构与性能 | 第58-61页 |
| ·实验 | 第58页 |
| ·光致发光性能 | 第58-59页 |
| ·Raman散射光谱分析 | 第59-60页 |
| ·TEM分析 | 第60-61页 |
| ·发光机理的研究 | 第61-64页 |
| ·半导体纳米锗颗粒的电子结构 | 第61-62页 |
| ·发光机理探讨 | 第62-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第6章 结论 | 第65-67页 |
| ·本文主要结论 | 第65-66页 |
| ·下一步工作 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表论文、专利 | 第72页 |
