| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 综述 | 第9-24页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·GaN基LED发展概述 | 第9-11页 |
| ·GaN材料及其发光器件的发展 | 第9-10页 |
| ·硅衬底GaN基LED的发展 | 第10-11页 |
| ·GaN基LED的出光效率 | 第11-18页 |
| ·基本概念 | 第11-13页 |
| ·GaN基LED的提取效率 | 第13-18页 |
| ·本论文的研究内容和行文安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 硅衬底GaN基蓝光LED芯片湿法粗化的研究 | 第24-41页 |
| ·粗化简介 | 第24-27页 |
| ·LED芯片粗化基本原理 | 第24页 |
| ·LED芯片粗化研究现状 | 第24-25页 |
| ·湿法粗化机制 | 第25-27页 |
| ·实验过程以及表征 | 第27-30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-37页 |
| ·不同时间下湿法粗化LED芯片 | 第30-35页 |
| ·光照对湿法粗化的辅助作用 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 磁控溅射制备ZnO透明薄膜的研究 | 第41-64页 |
| ·ZnO透明薄膜制备简介 | 第41-44页 |
| ·ZnO薄膜的生长系统及其表征方法 | 第44-48页 |
| ·磁控溅射系统简介 | 第44-46页 |
| ·衬底和靶的选择 | 第46-47页 |
| ·基本生长工艺 | 第47-48页 |
| ·性能表征 | 第48页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜生长的影响 | 第48-54页 |
| ·不同功率对ZnO淀积速率的影响 | 第49-50页 |
| ·溅射功率对结晶质量的影响 | 第50-52页 |
| ·溅射功率对薄膜粗糙度的影响 | 第52-53页 |
| ·不同溅射功率样品透光率 | 第53-54页 |
| ·Ar/O_2流量比对ZnO薄膜的影响 | 第54-59页 |
| ·不同Ar/O_2流量比对ZnO淀积速率的影响 | 第54-55页 |
| ·不同Ar/O_2流量比对ZnO结晶质量的影响 | 第55-56页 |
| ·不同Ar/O_2流量比对ZnO粗糙度的影响 | 第56-57页 |
| ·不同Ar/O_2流量比的样品透光率 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 第四章 蓝光LED芯片增透膜的研究 | 第64-74页 |
| ·引言 | 第64-66页 |
| ·在蓝光LED芯片上镀增透膜 | 第66-72页 |
| ·思想方法 | 第66-67页 |
| ·增透膜材料的选择 | 第67-68页 |
| ·实验过程及表征 | 第68-69页 |
| ·实验结果 | 第69-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第五章 总结和展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第77页 |