| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·薄膜生长过程 | 第11-13页 |
| ·初始成核理论 | 第13-14页 |
| ·岛在表面迁移及熟化过程 | 第14页 |
| ·合并与渗析 | 第14-16页 |
| ·薄膜测试技术 | 第16-18页 |
| ·扫描隧道显微镜 | 第16页 |
| ·原子力显微镜 | 第16-17页 |
| ·透射电子显微镜 | 第17页 |
| ·高能电子衍射 | 第17-18页 |
| ·X 射线反射及衍射测试技术 | 第18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜中的分形现象和薄膜表面定量描述 | 第20-30页 |
| ·随机表面的定量统计描述 | 第20-23页 |
| ·自仿射分形表面及薄膜自仿射分形生长 | 第23-26页 |
| ·线性生长模型 | 第26-28页 |
| ·Kardar-Parisi-Zhang 生长模型 | 第28页 |
| ·Kuroumoto-Sivashinsky 生长模型 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-30页 |
| 第三章 薄膜生长模型与计算机模拟 | 第30-41页 |
| ·薄膜生长模型的理论与方法 | 第30-32页 |
| ·分子动力学 | 第30-31页 |
| ·蒙特卡罗法 | 第31页 |
| ·量子力学 | 第31-32页 |
| ·薄膜生长模型的数值微分方法 | 第32页 |
| ·K-S 方程数值求解及其决定的表面演化过程 | 第32-40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 第四章 激光溅射沉积制备的氮化镓表面形貌分析 | 第41-54页 |
| ·脉冲激光技术（PLD） | 第41-47页 |
| ·脉冲激光技术（PLD）原理 | 第41-43页 |
| ·脉冲激光技术（PLD）优缺点 | 第43-44页 |
| ·影响脉冲激光沉积的因素 | 第44-47页 |
| ·激光能量密度 | 第44-45页 |
| ·衬底温度 | 第45-46页 |
| ·气压 | 第46页 |
| ·靶距 | 第46-47页 |
| ·激光溅射沉积制备的氮化镓表面形貌分析 | 第47-52页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第48页 |
| ·薄膜生长界面的原子力显微镜测量 | 第48-50页 |
| ·生长界面自仿射分形结构的描述及生长模型讨论 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |