| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1.引言 | 第9-15页 |
| ·金属中氦行为的研究历史及现状 | 第9-11页 |
| ·金属中氦行为的研究方法 | 第11-13页 |
| ·氦行为理论模拟 | 第11-12页 |
| ·氦行为的实验研究 | 第12-13页 |
| ·纳米晶材料的特性 | 第13-14页 |
| ·纳米晶材料储氦研究意义 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要内容 | 第15页 |
| 2.离子束辅助磁控He、Ar共溅射沉积含He纳米晶膜实验技术 | 第15-20页 |
| ·磁控溅射沉积法制备纳米含氦膜方法的建立 | 第15-16页 |
| ·工作原理 | 第16-18页 |
| ·方法的特色 | 第18页 |
| ·技术创新点与工艺特色 | 第18-19页 |
| ·膜沉积设备与装置 | 第19-20页 |
| 3.含氦纳米晶Ti膜及LaNiAl膜表征方法 | 第20-31页 |
| ·样品的制备 | 第20-21页 |
| ·样品的表征 | 第21-31页 |
| ·X射线衍射分析 | 第21页 |
| ·质子背散射分析 | 第21-29页 |
| ·卢瑟福背散射分析原理 | 第21-24页 |
| ·增强质子背散射分析 | 第24-25页 |
| ·实验装置及实验条件的选择 | 第25-29页 |
| ·实验装置 | 第25-26页 |
| ·多道分析器的刻度 | 第26-27页 |
| ·分析程序SIMNRA | 第27-29页 |
| ·透射电镜分析 | 第29页 |
| ·原子力显微镜分析 | 第29-30页 |
| ·中子衍射分析 | 第30页 |
| ·热解吸谱分析 | 第30-31页 |
| 4.He、Ar磁控共溅射沉积含He纳米晶膜实验结果及讨论 | 第31-56页 |
| ·纳米晶Ti膜储He结果及讨论 | 第31-46页 |
| ·沉积工艺对钛膜晶粒尺寸与含He量的影响研究 | 第31-39页 |
| ·沉积弧流对纳米晶钛膜的氦含量和晶粒大小的影响 | 第31-33页 |
| ·He/Ar比对纳米晶钛膜的氦含量和晶粒大小的影响 | 第33-34页 |
| ·温度对纳米晶钛膜的氦含量和晶粒大小的影响 | 第34-37页 |
| ·衬底材料对膜中含氦量的影响 | 第37-39页 |
| ·纳米晶钛膜中He的室温保持 | 第39-43页 |
| ·含He钛膜中He在晶格中的结合能位置 | 第43-46页 |
| ·典型样品的TEM晶格象 | 第43-44页 |
| ·热解吸实验展示的He结合能位置 | 第44-45页 |
| ·含氦纳米Ti膜材的储H能力 | 第45-46页 |
| ·纳米晶LaNiAI膜储He结果及讨论 | 第46-56页 |
| ·LaNiAl体材溅射靶的相结构 | 第46-47页 |
| ·LaNiAl膜的结晶温度 | 第47-48页 |
| ·一定温区下的可储He膜的含He量 | 第48-51页 |
| ·热解吸He释放峰温区确定的含He位置 | 第51-52页 |
| ·中子衍射用含He纳米晶粉体的制备与He位置分析 | 第52-56页 |
| 5.结论 | 第56-57页 |
| 可进一步开展的工作 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
