| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| ·同步辐射(SR)光源 | 第9-11页 |
| ·SR的发展历史 | 第9-10页 |
| ·SR的特点 | 第10-11页 |
| ·SR的应用 | 第11页 |
| ·X射线吸收精细结构(XAFS)技术 | 第11-15页 |
| ·XAFS的定义 | 第12页 |
| ·XAFS的发展历史 | 第12-14页 |
| ·XAFS的特点 | 第14-15页 |
| ·Ge/Si半导体量子体系 | 第15-18页 |
| ·Ge/Si(001)单层膜 | 第15页 |
| ·Si/Gen/Si(001)异质膜 | 第15-16页 |
| ·Ge/Si(001)量子点 | 第16-18页 |
| ·镶嵌在SiO_2介质中的Ge纳米晶 | 第18页 |
| ·TiN/Si_3N_4超硬纳米多层膜体系 | 第18-20页 |
| 第2章 XAFS实验 | 第20-31页 |
| ·XAFS实验装置 | 第20-25页 |
| ·XAFS光束线 | 第20-23页 |
| ·XAFS实验站 | 第23-25页 |
| ·XAFS数据采集 | 第25-28页 |
| ·透射模式 | 第25-26页 |
| ·荧光模式 | 第26-28页 |
| ·相关技术的发展及应用 | 第28-31页 |
| ·表面XAFS(SEXAFS) | 第28-29页 |
| ·衍射异常精细结构(DAFS) | 第29页 |
| ·原位XAFS | 第29-30页 |
| ·微区XAFS | 第30页 |
| ·快速XAFS | 第30-31页 |
| 第3章 扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)基本理论与数据分析 | 第31-40页 |
| ·EXAFS基本理论 | 第31-33页 |
| ·EAXFS的单散射理论 | 第31-32页 |
| ·EAXFS的多重散射FEFF理论 | 第32-33页 |
| ·EXAFS数据分析 | 第33-40页 |
| ·EXAFS数据中的信息量 | 第34页 |
| ·EXAFS实验数据处理与分析 | 第34-37页 |
| ·EXAFS分析软件包简介 | 第37-40页 |
| 第4章 Ge/Si半导体量子体系 | 第40-77页 |
| ·Gen/Si(001)单层膜 | 第40-45页 |
| ·样品制备 | 第40页 |
| ·XAFS测量 | 第40-41页 |
| ·XAFS结果 | 第41-42页 |
| ·讨论 | 第42-45页 |
| ·Si/Gen/Si(001)异质膜 | 第45-53页 |
| ·样品制备 | 第45页 |
| ·XAFS测量 | 第45页 |
| ·XAFS结果 | 第45-50页 |
| ·讨论 | 第50-53页 |
| ·Ge/Si(001)量子点 | 第53-64页 |
| ·样品制备 | 第53页 |
| ·AFM | 第53页 |
| ·XAFS测量 | 第53-54页 |
| ·XAFS结果 | 第54-56页 |
| ·多重散射EXAFS分析(MS-EXAFS) | 第56-61页 |
| ·讨论 | 第61-64页 |
| ·镶嵌在SiO_2介质中的Ge纳米晶 | 第64-75页 |
| ·样品制备 | 第64页 |
| ·样品测量 | 第64-68页 |
| ·XAFS分析 | 第68-73页 |
| ·讨论 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第75-77页 |
| 第5章 TiN/Si_3N_4超硬纳米多层膜体系 | 第77-95页 |
| ·样品制备 | 第77页 |
| ·样品测量 | 第77-78页 |
| ·硬度测量 | 第77页 |
| ·X射线衍射(XRD)测量 | 第77页 |
| ·XAFS测量 | 第77-78页 |
| ·温度对于TiN/Si_3N_4多层膜的硬度与结构的影响 | 第78-87页 |
| ·硬度测量结果 | 第78-79页 |
| ·XRD结果 | 第79-80页 |
| ·XAFS结果 | 第80-87页 |
| ·讨论 | 第87-94页 |
| ·结论 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-103页 |
| 博士期间发表的论文 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104页 |