CdIn2O4薄膜的制备及光电性能研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第9-11页 |
| ·CIO 薄膜的研究现状 | 第11-18页 |
| ·CIO 薄膜的结构 | 第13-14页 |
| ·CIO 薄膜的制备方法 | 第14-17页 |
| ·CIO 薄膜的应用前景 | 第17-18页 |
| ·本文的研究意义、研究内容和创新点 | 第18-20页 |
| 2 实验方法与表征 | 第20-27页 |
| ·CIO 薄膜的制备 | 第20-22页 |
| ·高真空磁控溅射台 | 第20页 |
| ·Cd-In 合金靶材的制备 | 第20-21页 |
| ·基片清洗 | 第21页 |
| ·CIO 薄膜的沉积过程 | 第21-22页 |
| ·薄膜的制备条件 | 第22页 |
| ·SEEBECK 效应实验装置 | 第22页 |
| ·原子力显微镜 | 第22-23页 |
| ·X 射线衍射仪 | 第23-24页 |
| ·X 光电子能谱仪 | 第24页 |
| ·霍尔效应测试仪 | 第24-26页 |
| ·分光光度计 | 第26-27页 |
| 3 形貌表征和结构分析 | 第27-36页 |
| ·形貌表征 | 第27-29页 |
| ·结构分析 | 第29-31页 |
| ·化学态和成分分析 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 4 CIO 薄膜的电学性能 | 第36-44页 |
| ·氧浓度对CIO 薄膜电学性能的影响 | 第36-39页 |
| ·基片温度对CIO 薄膜电学性能的影响 | 第39-40页 |
| ·溅射时间对CIO 薄膜电学性能的影响 | 第40-41页 |
| ·退火处理对CIO 薄膜电学性能的影响 | 第41页 |
| ·SEEBECK 效应的研究 | 第41-43页 |
| ·材料的温差电效应 | 第41-42页 |
| ·CIO 薄膜的Seebeck 效应 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 CIO 薄膜的光学性能 | 第44-59页 |
| ·氧浓度对CIO 薄膜光学性能的影响 | 第44-45页 |
| ·基片温度对CIO 薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·溅射时间对CIO 薄膜光学性能的影响 | 第46-47页 |
| ·退火处理对CIO 薄膜光学性能的影响 | 第47-48页 |
| ·光学带隙的理论计算 | 第48-58页 |
| ·Swanepoel 方法 | 第48-50页 |
| ·计算结果 | 第50-53页 |
| ·机理分析 | 第53-56页 |
| ·Urbach 吸收带尾 | 第56页 |
| ·Urbach 吸收带尾形成机理 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 6 结论与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 附录 | 第66-69页 |
| 独创性声明 | 第69页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第69页 |
