| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| ·研究的目的和意义 | 第10页 |
| ·光促表面化学反应研究概况 | 第10-16页 |
| ·光促表面催化反应的原理 | 第10-12页 |
| ·光促表面催化反应的评价 | 第12-13页 |
| ·光催化材料活性的影响因素 | 第13页 |
| ·材料晶体结构对光催化活性的影响 | 第13页 |
| ·材料表面积对光催化活性的影响 | 第13页 |
| ·光催化材料活性增强途径 | 第13-16页 |
| ·负载金属 | 第14页 |
| ·复合半导体 | 第14-15页 |
| ·加入载流子俘获剂 | 第15页 |
| ·小尺寸效应及光量子效应 | 第15-16页 |
| ·CO_2催化还原研究概况 | 第16-21页 |
| ·CO_2分子结构分析 | 第16-17页 |
| ·CO_2的吸附活化 | 第17-19页 |
| ·CO_2光催化还原的研究进展 | 第19-21页 |
| ·CH_4 与CO_2 直接合成乙酸的研究现状 | 第21-22页 |
| ·CH_4光催化氧化反应的研究概况 | 第21页 |
| ·CH_4与CO_2直接合成乙酸的研究现状和存在问题 | 第21-22页 |
| ·本课题的研究目的、构思、内容与创新点 | 第22-25页 |
| ·研究目的 | 第22-23页 |
| ·研究构思 | 第23-24页 |
| ·研究内容 | 第24页 |
| ·创新点 | 第24-25页 |
| 第二章 实验方法 | 第25-36页 |
| ·光催化材料的设计 | 第25-27页 |
| ·载体物质的选择 | 第25页 |
| ·复合半导体表面活性组分的设计和选择 | 第25-27页 |
| ·光催化材料的制备 | 第27-29页 |
| ·光催化材料制备方法的选择 | 第27页 |
| ·主要原料与试剂 | 第27页 |
| ·表面反应改性法制备 TiO_2/SiO_2 | 第27页 |
| ·负载型复合氧化物的制备 | 第27-29页 |
| ·V_2O_5-TiO_2/SiO_2 及相关材料的制备 | 第27-28页 |
| ·CeO_2-TiO_2/SiO_2 及相关材料的制备 | 第28-29页 |
| ·金属Cu 的引入 | 第29页 |
| ·光催化材料的表征方法 | 第29-33页 |
| ·程序升温还原表征（TPR） | 第29-30页 |
| ·比表面积测定（BET） | 第30页 |
| ·X-射线衍射分析（XRD） | 第30页 |
| ·红外光谱分析（IR） | 第30-32页 |
| ·紫外－可见漫反射光谱（UV－vis DRS） | 第32页 |
| ·化学吸附性能表征 | 第32-33页 |
| ·固体－气体化学吸附红外光谱分析 | 第32页 |
| ·程序升温脱附－质谱（TPD－MS）实验 | 第32-33页 |
| ·光促表面催化反应性能评价实验 | 第33-36页 |
| ·光促表面催化反应-色谱实验（PSSR-GC） | 第33-35页 |
| ·光促表面催化反应性能的评价 | 第35-36页 |
| 第三章 光催化材料的结构表征 | 第36-42页 |
| ·光催化材料的比表面积 | 第36-38页 |
| ·X 射线衍射（XRD）分析结果 | 第36页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2 的XRD 分析结果 | 第36-37页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2 的XRD 分析结果 | 第37-38页 |
| ·IR 测定结果分析 | 第38-39页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2 的IR 测定结果 | 第38页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2 的IR 测定结果 | 第38-39页 |
| ·程序升温还原（TPR）结果 | 第39-41页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2 的TPR 结果分析 | 第39-40页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2 的TPR 结果分析 | 第40-41页 |
| ·光催化材料的表面结构模型 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第四章 光催化材料的光响应性能和能带结构 | 第42-49页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2 的光响应性能及能带结构 | 第42-46页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2 的光响应性能 | 第42-43页 |
| ·半导体材料Eg 值的测定 | 第43-44页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2 的能带结构 | 第44-46页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2 的光响应性能及能带结构 | 第46-48页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2的光响应性能 | 第46-47页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2的能带结构 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 第五章 光催化材料的化学吸附性能 | 第49-59页 |
| ·CO_2 在光催化材料表面的化学吸附 | 第49-55页 |
| ·CO_2 在复合氧化物上的化学吸附IR 结果 | 第49-50页 |
| ·V_2O_5-TiO_2/SiO_2 化学吸附CO_2 的IR 结果 | 第49-50页 |
| ·CeO_2-TiO_2/SiO_2 化学吸附CO_2 的IR 结果 | 第50页 |
| ·CO_2在Cu/复合氧化物上的化学吸附IR 结果 | 第50-52页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2化学吸附CO_2的IR结果 | 第50-51页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2化学吸附CO_2的IR结果 | 第51-52页 |
| ·CO_2化学吸附的TPD-MS 结果 | 第52-53页 |
| ·CO_2在光催化材料上的化学吸附机理和模型 | 第53-55页 |
| ·CH_4 在光催化材料表面的化学吸附 | 第55-58页 |
| ·CH_4 在光催化材料上的化学吸附IR 结果 | 第55-57页 |
| ·Cu/V_2O_5-TiO_2/SiO_2化学吸附CH_4的IR结果 | 第55-56页 |
| ·Cu/CeO_2-TiO_2/SiO_2化学吸附CH_4的IR结果 | 第56-57页 |
| ·CH_4化学吸附的TPD-MS 结果 | 第57页 |
| ·光催化材料表面CH_4的化学吸附机理和模型 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第六章 光催化材料反应性能评价及机理推测 | 第59-66页 |
| ·热表面催化反应结果 | 第59页 |
| ·CO_2 与CH_4 的气相光催化反应结果 | 第59页 |
| ·光促表面催化反应（PSSCR-GC）实验结果 | 第59-60页 |
| ·反应条件对光催化反应性能的影响 | 第60-62页 |
| ·反应温度对光催化反应性能的影响 | 第60-62页 |
| ·空速对光催化反应性能的影响 | 第62页 |
| ·气固光催化甲烷与二氧化碳合成乙酸的机理探讨 | 第62-64页 |
| ·“光－表面－热”协同作用的探讨与思考 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第七章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第75-76页 |
| 发表论文: | 第75页 |
| 参加科研情况: | 第75-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |
| 附录 1 紫外线高压汞灯的相对能量光谱图及辐照照度 | 第76页 |
| 附录 2 各物质在 TCD 上相对摩尔校正因子 | 第76页 |
| 附录 3 各组分含量的计算(以 Cu/V_2O5-TiO_2/SiO_2 120℃反应为例) | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
