真空微电子器件中离子轰击的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪 论 | 第6-18页 |
| ·真空微电子器件综述 | 第6-13页 |
| ·真空微电子学的发展历史 | 第6-8页 |
| ·真空微电子器件中的场致发射原理 | 第8-11页 |
| ·真空微电子器件的主要特点 | 第11-12页 |
| ·真空微电子学的应用与发展趋势 | 第12页 |
| ·真空微电子学的主要研究内容 | 第12-13页 |
| ·离子轰击对真空微电子器件的影响及本论文的工作 | 第13-15页 |
| ·离子轰击对真空微电子器件的影响 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要工作 | 第14-15页 |
| ·参考文献 | 第15-18页 |
| 第二章 电子碰撞电离及其模拟原理 | 第18-21页 |
| ·电子碰撞电离的相关理论 | 第18-20页 |
| ·参考文献 | 第20-21页 |
| 第三章 离子与固体表面相互作用及其模拟原理 | 第21-34页 |
| ·离子与固体表面的相互作用 | 第21-24页 |
| ·离子与固体表面相互作用的基本概念 | 第21-22页 |
| ·各种粒子的发射现象 | 第22-23页 |
| ·从靶上观察到的变化 | 第23页 |
| ·初级离子的能量 | 第23-24页 |
| ·离子溅射的基本规律 | 第24-28页 |
| ·溅射机理的研究和溅射的模拟计算 | 第28-31页 |
| ·溅射机理的研究 | 第28-29页 |
| ·溅射产额的模拟计算 | 第29-31页 |
| ·MD模拟研究离子轰击的方法 | 第31页 |
| ·场致发射中离子轰击的研究历史 | 第31-32页 |
| ·参考文献 | 第32-34页 |
| 第四章 纳米碳管及其遭受离子轰击的现象 | 第34-40页 |
| ·碳纳米管简介 | 第34-35页 |
| ·碳纳米管合成方法 | 第35-36页 |
| ·碳纳米管场致发射平板显示应用前景 | 第36页 |
| ·碳纳米管发射特性的不同理论 | 第36-37页 |
| ·离子轰击对碳纳米管的影响 | 第37-38页 |
| ·参考文献 | 第38-40页 |
| 第五章 场致发射器件中离子轰击的数值模拟 | 第40-55页 |
| ·离子产生的数值模拟介绍 | 第40页 |
| ·模型阴极受损程度的数值模拟的介绍 | 第40-41页 |
| ·其它部分的数值模拟的介绍 | 第41页 |
| ·CNT 场发射三极管模型 | 第41-42页 |
| ·模型阴极受损情况的模拟 | 第42-48页 |
| ·发射电流密度成环形分布时阴极受损情况的模拟 | 第48-50页 |
| ·构造离子陷阱后模型阴极受损情况的模拟 | 第50-53页 |
| ·结果和讨论 | 第53-54页 |
| ·参考文献 | 第54-55页 |
| 第六章 场致发射真空二极管发射特性的试验 | 第55-62页 |
| ·试验方案 | 第55页 |
| ·化学气相法制备碳纳米管阴极 | 第55-56页 |
| ·真空二极管的制备 | 第56页 |
| ·真空二极管特性测试及分析 | 第56-60页 |
| ·参考文献 | 第60-62页 |
| 第七章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·论文工作总结 | 第62页 |
| ·前景与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64页 |
