| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-10页 |
| 第二章 SiGe半导体薄膜材料的特性及应用 | 第10-23页 |
| ·SiGe半导体材料的结构特性 | 第10-11页 |
| ·SiGe半导体材料的能带结构 | 第11-13页 |
| ·应变Si_(1-x)Ge_x异质结界面的能带排列 | 第13-15页 |
| ·SiGe／Si材料的应用 | 第15-21页 |
| ·SiGe基区HBT的发展 | 第15-17页 |
| ·SiGe材料在MODFET方面的应用 | 第17-19页 |
| ·SiGe／Si在光电子方面的应用 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第三章 锗硅半导体薄膜生长技术 | 第23-35页 |
| ·分子束外延 | 第23-26页 |
| ·化学气相淀积(CVD) | 第26-31页 |
| ·快速热化学气相沉积(RTCVD) | 第26-27页 |
| ·超高真空CVD | 第27-29页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD) | 第29-30页 |
| ·几种外延技术比较 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第四章 UHV／CVD外延设备、工艺 及立题依据 | 第35-42页 |
| ·UHV／CVD生长外延材料的优点 | 第35-36页 |
| ·UHV／CVD系统 | 第36-38页 |
| ·系统的特色 | 第36页 |
| ·UHV／CVD系统简介 | 第36-38页 |
| ·外延工艺过程 | 第38-40页 |
| ·衬底的化学清洗 | 第38-39页 |
| ·低温外延工艺报告 | 第39-40页 |
| ·立题依据 | 第40-42页 |
| 第五章 薄硅外延层制作SBD的研究 | 第42-55页 |
| ·硅外延生长特性 | 第42-46页 |
| ·生长温度的考虑 | 第42页 |
| ·外延过程 | 第42-44页 |
| ·硅外延生长速率 | 第44页 |
| ·硅外延质量评价 | 第44-46页 |
| ·薄硅Sl外延片SBD的设计及制作 | 第46-48页 |
| ·半导体材料的选择 | 第46页 |
| ·外延层参数的确定 | 第46-48页 |
| ·势垒直径Φ_1 | 第48页 |
| ·SlSBD的制作及测试 | 第48-54页 |
| ·工艺流程 | 第48-50页 |
| ·SiSBD的伏安特性 | 第50-53页 |
| ·相关参数的计算 | 第53-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第六章 锗硅外延及表征 | 第55-67页 |
| ·外延沉积步骤及考虑 | 第55-59页 |
| ·简要操作步骤 | 第55-56页 |
| ·生长前预处理 | 第56-58页 |
| ·生长室内反应物质传输 | 第58-59页 |
| ·外延层表征方法 | 第59-66页 |
| ·高分辨XRD测量(HRXRD) | 第59-62页 |
| ·Raman表征 | 第62-64页 |
| ·光学显微检测 | 第64页 |
| ·透射电镜(TEM) | 第64-65页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第65页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-67页 |
| 第七章 锗硅外延结果与分析 | 第67-84页 |
| ·应变及驰豫外延层 | 第67-77页 |
| ·实验设计及结果 | 第67-68页 |
| ·清洗方法评价 | 第68-70页 |
| ·成份及应力 | 第70-73页 |
| ·结晶质量与表面形貌 | 第73-76页 |
| ·不同温度下生长速率 | 第76-77页 |
| ·缓冲层结构生长研究 | 第77-79页 |
| ·多层结构 | 第79-83页 |
| ·结论 | 第83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第八章 结论 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |