等离子体束溅射镀膜机研制及工作机理研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第9-11页 |
| ·等离子体束溅射镀膜简介 | 第11-12页 |
| ·等离子体束溅射镀膜的研究现状 | 第12-13页 |
| ·研究的目的、意义和内容 | 第13-16页 |
| ·研究的目的和意义 | 第13-14页 |
| ·研究内容 | 第14-15页 |
| ·论文结果 | 第15-16页 |
| 第2章 等离子体束溅射镀膜机的研制 | 第16-30页 |
| ·溅射技术 | 第16-17页 |
| ·溅射镀膜发展的历程 | 第16页 |
| ·溅射技术的分类 | 第16-17页 |
| ·二极溅射与磁控溅射 | 第17-22页 |
| ·二极溅射 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射 | 第18-22页 |
| ·等离子体束溅射镀膜机的研制 | 第22-29页 |
| ·磁控溅射的改进措施 | 第22-23页 |
| ·等离子体束溅射镀膜机的结构 | 第23-26页 |
| ·等离子体束溅射镀膜机的主要技术指标 | 第26-27页 |
| ·试验结果 | 第27-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| 第3章 真空室内电磁场的分布 | 第30-40页 |
| ·电场与磁场的产生 | 第30-31页 |
| ·电场的产生 | 第30-31页 |
| ·磁场的产生 | 第31页 |
| ·模拟方法 | 第31-34页 |
| ·建立坐标系 | 第31-32页 |
| ·模拟步骤 | 第32-34页 |
| ·结果及分析 | 第34-39页 |
| ·电场的分布 | 第34-35页 |
| ·磁场的分布 | 第35-38页 |
| ·结果分析 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第4章 等离子体束在真空室内的运动 | 第40-56页 |
| ·等离子体概述 | 第40-45页 |
| ·等离子体 | 第40-41页 |
| ·等离子体的产生 | 第41-44页 |
| ·等离子体的描述方法 | 第44-45页 |
| ·高密度等离子体源 | 第45-50页 |
| ·等离子体源概述 | 第45-46页 |
| ·高密度等离子体源结构 | 第46-48页 |
| ·等离子体源引出束流的分析 | 第48-50页 |
| ·等离子体束的运动分析 | 第50-53页 |
| ·在仅有磁场时的运动 | 第50-52页 |
| ·等离子体在加负偏压场时的运动 | 第52-53页 |
| ·基片接通负偏压时等离子体的运动 | 第53页 |
| ·结果分析 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第5章 结论 | 第56-59页 |
| ·分析与结论 | 第56-57页 |
| ·不足与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
