| 第一章 绪论 | 第1-24页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·可变光衰减器在全光网络中的应用 | 第8-9页 |
| ·可变光衰减器的类型 | 第9-17页 |
| ·光衰减器的主要性能指标 | 第17-18页 |
| ·光衰减器应用发展趋势 | 第18-19页 |
| ·基于聚合物液晶材料光器件的研究发展 | 第19-22页 |
| ·课题来源及本文主要研究内容 | 第22-23页 |
| ·课题的来源 | 第22页 |
| ·本文主要研究内容 | 第22-23页 |
| ·小节 | 第23-24页 |
| 第二章 聚合物液晶材料制备及其电光特性的研究 | 第24-55页 |
| ·液晶简介 | 第24-28页 |
| ·液晶的种类 | 第24-26页 |
| ·液晶的基本性质 | 第26-28页 |
| ·聚合物液晶复合材料 | 第28-32页 |
| ·聚合物分散液晶的光衰减机理 | 第29-30页 |
| ·聚合物分散液晶的制备工艺 | 第30-32页 |
| ·聚合物液晶材料的制备 | 第32-35页 |
| ·选择材料 | 第32-35页 |
| ·紫外辐照相分离实验 | 第35页 |
| ·PDLC 膜的性能测试和结果分析 | 第35-54页 |
| ·液晶和预聚物的筛选 | 第36-38页 |
| ·预聚物和稀释剂的配比对PDLC 膜特性影响 | 第38-41页 |
| ·不同的光引发剂含量对PDLC 膜特性的影响 | 第41-44页 |
| ·不同固化温度对PDLC 膜特性的影响 | 第44-46页 |
| ·液晶含量对PDLC 膜特性的影响 | 第46-52页 |
| ·不同薄膜厚度对PDLC 电光特性的影响 | 第52-53页 |
| ·不同紫外光辐照强度的影响 | 第53页 |
| ·材料响应时间测试 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 透明导电电极ITO 制备技术的研究 | 第55-68页 |
| ·氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的介绍 | 第55-56页 |
| ·氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜电学性质 | 第56-57页 |
| ·氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜光学性质 | 第57-58页 |
| ·ITO 透明导电薄膜的制备技术 | 第58-61页 |
| ·氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的测试与分析 | 第61-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第四章 集成八通道可变光衰减器阵列的设计与制作技术的研究 | 第68-105页 |
| ·硅基衬底器件结构设计 | 第68-74页 |
| ·一维单模光纤耦合通道阵列设计 | 第69-74页 |
| ·电极引线阵列设计 | 第74页 |
| ·工艺设备 | 第74-76页 |
| ·硅基光衰减器阵列的制作工艺流程 | 第76-94页 |
| ·自对准光纤槽的制作 | 第76-81页 |
| ·湿法腐蚀工艺 | 第81-83页 |
| ·驱动电极金属引线的制作 | 第83-85页 |
| ·单模光纤端面溅射氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜 | 第85-86页 |
| ·光衰减器阵列的组装 | 第86-94页 |
| ·树脂衬底阵列器件结构设计 | 第94-95页 |
| ·树脂衬底聚合物液晶光衰减器的制作 | 第95-103页 |
| ·凹型衬底的制作 | 第95页 |
| ·液晶盒电极的设计与制作 | 第95-96页 |
| ·准直光纤阵列的选择与插入损耗分析 | 第96-103页 |
| ·树脂衬底聚合物分散液晶可变光衰减器阵列的组装 | 第103-104页 |
| ·小节 | 第104-105页 |
| 第五章 集成八通道可变光衰减器阵列的测试 | 第105-110页 |
| ·建立测试系统 | 第105-106页 |
| ·衰减指标的测试 | 第106-109页 |
| ·衰减指标的测试结果 | 第107-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| 第六章 结论 | 第110-114页 |
| ·全文总结 | 第110-112页 |
| ·工作展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及参与项目 | 第127-129页 |
| 摘要 | 第129-131页 |
| ABSTRACT | 第131-133页 |