反应磁控溅射制备掺钨氧化钒薄膜的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 综述 | 第7-22页 |
| ·VO_2的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·VO_2的特性 | 第9-11页 |
| ·光学性质 | 第9-10页 |
| ·电阻率突变特性 | 第10-11页 |
| ·I～V开关特性 | 第11页 |
| ·其他性质 | 第11页 |
| ·VO_2薄膜的应用 | 第11-13页 |
| ·智能窗 | 第12页 |
| ·光储存 | 第12页 |
| ·热敏开关 | 第12页 |
| ·红外探测器保护阀 | 第12-13页 |
| ·非致冷红外探测器 | 第13页 |
| ·掺杂改变VO_2的相变温度 | 第13-15页 |
| ·掺杂改性原理 | 第15-16页 |
| ·原子尺寸理论 | 第15页 |
| ·化合价理论 | 第15-16页 |
| ·应力理论 | 第16页 |
| ·电荷转移机理 | 第16页 |
| ·键长理论 | 第16页 |
| ·制备掺杂VO_2薄膜的方法 | 第16-18页 |
| ·离子注入掺杂法 | 第17页 |
| ·液相混合掺杂法 | 第17页 |
| ·水热合成掺杂法 | 第17页 |
| ·溅射掺杂法 | 第17-18页 |
| ·金属有机化合物气相沉积掺杂法 | 第18页 |
| ·溅射掺杂的靶材设计 | 第18-20页 |
| ·复合靶 | 第18-19页 |
| ·钨钒合金靶溅射 | 第19-20页 |
| ·多靶溅射 | 第20页 |
| ·国内外研究进展 | 第20-21页 |
| ·本文的研究意义和目的 | 第21-22页 |
| 第二章 实验方案和实验过程 | 第22-32页 |
| ·实验设备 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射原理 | 第23-24页 |
| ·实验流程图 | 第24-25页 |
| ·实验靶材的设计 | 第25-27页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第27-28页 |
| ·基体材料及其表面预处理 | 第27页 |
| ·薄膜制备工艺参数 | 第27-28页 |
| ·薄膜样品的检测 | 第28-32页 |
| ·X射线衍射仪 | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜 | 第29-30页 |
| ·傅立叶红外光谱仪 | 第30页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第30页 |
| ·差热分析仪 | 第30-32页 |
| 第三章 溅射氧化钒薄膜工艺正交试验 | 第32-41页 |
| ·正交试验方法 | 第32页 |
| ·正交表的代号及含义 | 第32-33页 |
| ·试验方案的确定 | 第33-34页 |
| ·试验结果评分 | 第34-36页 |
| ·试验结果分析 | 第36-39页 |
| ·正交试验结果的验证 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 沉积工艺对掺钨氧化钒成膜的影响 | 第41-65页 |
| ·基体材料对薄膜物相和表面形貌的影响 | 第41-45页 |
| ·基体材料对薄膜物相的影响 | 第41-43页 |
| ·基体材料对薄膜表面形貌的影响 | 第43-45页 |
| ·氧气体积百分比对薄膜物相的影响 | 第45-48页 |
| ·沉积时间对薄膜物相和表面形貌的影响 | 第48-50页 |
| ·沉积时间对薄膜物相的影响 | 第48-49页 |
| ·沉积时间对薄膜表面形貌的影响 | 第49-50页 |
| ·退火温度对薄膜物相和表面形貌的影响 | 第50-55页 |
| ·退火温度对薄膜物相的影响 | 第50-53页 |
| ·退火温度对薄膜表面形貌的影响 | 第53-55页 |
| ·退火时间对薄膜物相和表面形貌的影响 | 第55-62页 |
| ·退火时间对薄膜物相的影响 | 第55-58页 |
| ·退火时间对薄膜表面形貌的影响 | 第58-62页 |
| ·氧化钒薄膜真空还原的理论研究 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 掺钨对氧化钒薄膜的影响 | 第65-73页 |
| ·掺钨对薄膜微观结构组织的影响 | 第65-68页 |
| ·掺钨对薄膜物相的影响 | 第65-67页 |
| ·掺钨薄膜退火前后的表面形貌 | 第67-68页 |
| ·掺钨对VO_2薄膜光学性能的影响 | 第68-71页 |
| ·掺钨VO_2薄膜的相变性能 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81页 |
