| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·半导体产业的发展趋势及其给失效分析带来的挑战 | 第7-9页 |
| ·半导体失效分析的作用和基本流程 | 第9-10页 |
| ·半导体失效定位和物理分析设备 | 第10-13页 |
| ·本选题的研究目的、意义和内容 | 第13-15页 |
| ·研究目的和意义 | 第13页 |
| ·研究的内容 | 第13-15页 |
| 第二章 CMOS结构中的红外发光机理 | 第15-23页 |
| ·复合效率和内量子效应 | 第15-16页 |
| ·半导体显微红外发光机理 | 第16-19页 |
| ·直接或间接带间退激发 | 第17-18页 |
| ·激子复合 | 第18-19页 |
| ·杂质能级与导带/价带之间的退激发 | 第19页 |
| ·带内退激发 | 第19页 |
| ·CMOS结构中的红外发光机理 | 第19-23页 |
| ·正偏PN结 | 第19-20页 |
| ·反偏PN结 | 第20-21页 |
| ·超薄绝缘介质层 | 第21-22页 |
| ·小结 | 第22-23页 |
| 第三章 光发射显微镜及其背面观察模式的应用 | 第23-35页 |
| ·光发射显微镜的组件及工作原理 | 第23-26页 |
| ·光发射显微镜的组件 | 第23页 |
| ·光发射显微镜的工作原理 | 第23-24页 |
| ·光发射显微镜的特点 | 第24-25页 |
| ·光发射显微镜的光子捕获相机 | 第25-26页 |
| ·光发射显微镜的其它常用组件 | 第26-27页 |
| ·光发射显微镜的背面观察模式 | 第27-35页 |
| ·概述 | 第27页 |
| ·影响背面观察图像的因素 | 第27-29页 |
| ·硅衬底的厚度 | 第27-28页 |
| ·硅衬底掺杂浓度 | 第28-29页 |
| ·表面粗糙度 | 第29页 |
| ·背面观察样品的制备 | 第29-30页 |
| ·观测结果 | 第30-31页 |
| ·光源对于观测结果的影响 | 第31-32页 |
| ·衬底掺杂浓度观测结果的影响 | 第32-33页 |
| ·结论 | 第33-35页 |
| 第四章 CMOS IC结构缺陷的显微红外发光现象的机理研究 | 第35-46页 |
| ·热载流子效应 | 第35-37页 |
| ·绝缘介质层击穿 | 第37-38页 |
| ·ESD保护电路击穿 | 第38-42页 |
| ·闩锁效应 | 第42-44页 |
| ·接触毛刺 | 第44页 |
| ·多晶硅晶须 | 第44-46页 |
| 第五章 CMOS IC结构缺陷的显微红外发光现象的应用——实例研究 | 第46-61页 |
| ·工艺原因导致的器件失效 | 第46-49页 |
| ·二极管电流泄放能力不足导致的失效 | 第49-50页 |
| ·ggnMOS电流泄放能力不足导致的失效 | 第50-54页 |
| ·寄生效应导致的ESD电路失效 | 第54-59页 |
| ·总结 | 第59-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |