超低压CMOS混频器设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·论文的背景和研究意义 | 第9-10页 |
| ·射频集成电路发展现状 | 第10-11页 |
| ·本文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 低压低功耗技术 | 第13-21页 |
| ·概述 | 第13页 |
| ·低压低功耗设计的限制因素 | 第13-15页 |
| ·电源电压 | 第14页 |
| ·阈值电压 | 第14页 |
| ·其它 | 第14-15页 |
| ·低压低功耗集成电路设计技术 | 第15-21页 |
| ·亚阈值技术 | 第15-16页 |
| ·浮栅/准浮栅技术 | 第16-17页 |
| ·自级联结构 | 第17-19页 |
| ·电平移位技术 | 第19页 |
| ·电流模式电路 | 第19-21页 |
| 第三章 接收机的系统结构 | 第21-29页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·超外差式接收机 | 第21-24页 |
| ·超外差式接收机结构 | 第21-23页 |
| ·镜像干扰 | 第23-24页 |
| ·中频频率的选择 | 第24页 |
| ·零中频接收机 | 第24-25页 |
| ·低中频接收机 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-29页 |
| 第四章 混频器简介 | 第29-43页 |
| ·概述 | 第29-31页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·混频器工作原理 | 第29-31页 |
| ·混频器的性能 | 第31-37页 |
| ·变频增益 | 第31页 |
| ·噪声系数 | 第31-33页 |
| ·线性度 | 第33-36页 |
| ·失真 | 第36页 |
| ·隔离度 | 第36-37页 |
| ·阻抗匹配 | 第37页 |
| ·混频器的分类 | 第37-43页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·有源混频器 | 第38-43页 |
| 第五章 超低压模拟混频器设计 | 第43-59页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·衬底驱动MOS 管的工作原理 | 第43-47页 |
| ·衬底驱动NMOS 管的大信号模型 | 第44-45页 |
| ·衬底驱动NMOS 管的小信号模型 | 第45-46页 |
| ·衬底驱动PMOS 管 | 第46-47页 |
| ·衬底驱动MOS 管的噪声特性 | 第47-48页 |
| ·衬底驱动PMOS 晶体管的低压特性 | 第48-51页 |
| ·基于衬底技术超低压混频器 | 第51-55页 |
| ·低压混频器设计技术 | 第51-53页 |
| ·基于衬底驱动技术的混频器 | 第53-55页 |
| ·基于准浮栅技术超低压混频器 | 第55-57页 |
| ·工作机理 | 第55-56页 |
| ·仿真分析 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 结束语 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 研究成果 | 第64-65页 |
