| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·声表面波技术的研究意义 | 第9页 |
| ·声表面波技术的发展 | 第9-12页 |
| ·声表面波的发展历程 | 第9-10页 |
| ·声表面波技术现状 | 第10-11页 |
| ·我国声表面波技术现状 | 第11-12页 |
| ·金刚石SAW器件的研究进展 | 第12页 |
| ·声表面波器件的原理和特点 | 第12-14页 |
| ·声表面波器件的特点 | 第14页 |
| ·声表面波器件的应用 | 第14页 |
| ·传播声表面波的材料 | 第14-16页 |
| ·压电效应 | 第14-15页 |
| ·压电薄膜 | 第15-16页 |
| ·本研究的意义和具体工作 | 第16-17页 |
| 第二章 AlN介绍 | 第17-21页 |
| ·AlN的晶体结构 | 第17-18页 |
| ·AlN的性质和性能 | 第18页 |
| ·常见的氮化铝薄膜制备方法 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第19页 |
| ·射频磁控反应溅射法 | 第19页 |
| ·氮化铝薄膜的应用 | 第19-21页 |
| 第三章 AlN薄膜的制备与表征手段 | 第21-32页 |
| ·磁控溅射原理 | 第21-25页 |
| ·辉光放电 | 第22-23页 |
| ·射频溅射 | 第23页 |
| ·溅射参量 | 第23-25页 |
| ·溅射粒子的能量与速度 | 第25页 |
| ·磁控溅射的特点 | 第25页 |
| ·射频磁控溅射法介绍 | 第25-27页 |
| ·溅射过程 | 第27-28页 |
| ·表征手段 | 第28-31页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第四章 沉积条件对AlN薄膜取向生长的影响及原因分析 | 第32-53页 |
| ·AlN薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·实验装置 | 第32页 |
| ·衬底预处理 | 第32-33页 |
| ·靶材预处理 | 第33页 |
| ·实验步骤 | 第33页 |
| ·沉积参数对AlN薄膜取向生长的影响 | 第33-47页 |
| ·靶基距对AlN薄膜取向影响 | 第33-35页 |
| ·负偏压对AlN薄膜取向影响 | 第35-42页 |
| ·氮氩比对AlN薄膜取向的影响 | 第42-44页 |
| ·不同衬底对AlN薄膜取向影响 | 第44-47页 |
| ·AlN薄膜取向生长机理 | 第47-50页 |
| ·关于生长机理的两种观点 | 第47-48页 |
| ·关于薄膜生长择优取向分析 | 第48-49页 |
| ·关于氮终止衬底的薄膜生长取向分析 | 第49-50页 |
| ·沉积参数对AlN薄膜生长速率的影响 | 第50-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |