| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料及其光电器件研究概述 | 第11-12页 |
| ·垂直微腔器件 | 第12-13页 |
| ·分布式布拉格反射镜的研究概述 | 第13-15页 |
| ·Ⅲ族氮化物分布式布拉格反射镜的研究概述 | 第13-14页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4分布式布拉格反射镜的研究概述 | 第14-15页 |
| ·论文主要研究内容与结构 | 第15-16页 |
| 第二章 SiO_2与Si_3N_4材料的基本性质以及分布式布拉格反射镜的基本理论 | 第16-24页 |
| ·SiO_2材料的基本性质 | 第16-17页 |
| ·Si_3N_4材料的基本性质 | 第17-19页 |
| ·分布式布拉格反射镜的基本理论 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 SiO_2与Si_3N-4材料的PECVD生长方法 | 第24-33页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·CVD简介 | 第24-25页 |
| ·PECVD方法制备SiO_2与Si_3N_4材料的基本机理 | 第25-26页 |
| ·PECVD方法制备SiO_2材料的基本机理 | 第25页 |
| ·PECVD方法制备Si_3N_4材料的基本机理 | 第25-26页 |
| ·PECVD系统简介 | 第26-27页 |
| ·SiO_2与Si_3N_4薄膜的生长 | 第27-31页 |
| ·SiO_2薄膜的生长 | 第27-29页 |
| ·Si_3N_4薄膜的生长 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第四章 SiO_2/Si_3N_4分布式布拉格反射镜的制备与研究 | 第33-50页 |
| ·引言 | 第33页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4 DBR的设计 | 第33-34页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4 DBR的制备 | 第34-35页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4 DBR的研究 | 第35-40页 |
| ·DBR的光学性质分析 | 第36-37页 |
| ·DBR的表面以及截面形貌分析 | 第37-38页 |
| ·DBR的界面分析 | 第38-40页 |
| ·更细致的分析和改进 | 第40-48页 |
| ·工艺改进 | 第40-41页 |
| ·利用XPS的组分分析 | 第41-47页 |
| ·对DBR的改进 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 DBR双镜的初步研究 | 第50-55页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·宽的高反区双镜 | 第51-53页 |
| ·带通滤波器双镜 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 论文发表 | 第62-63页 |
