摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
图索引 | 第11-16页 |
表索引 | 第16-17页 |
第一章 绪论 | 第17-24页 |
·低能原子核反应 | 第17-18页 |
·带电粒子核反应中的电子屏蔽效应 | 第18-19页 |
·固体中低能D(d,p)T核反应 | 第19-21页 |
·本研究的目的和创新性 | 第21-22页 |
参考文献 | 第22-24页 |
第二章 国内外低能原子核反应的研究进展与现状 | 第24-54页 |
·低能原子核反应的反应截面 | 第24-26页 |
·电子屏蔽效应研究 | 第26-38页 |
·电子屏蔽效应 | 第26-28页 |
·电子屏蔽效应的实验和理论研究 | 第28-38页 |
·带电粒子热核反应的间接测量方法—特洛伊木马方法 | 第38-40页 |
·国内外低能原子核反应相关研究现状 | 第40-52页 |
·德国鲁尔大学DTL实验室D(d,p)T核反应的实验研究 | 第40-46页 |
·日本东北大学LNS实验室低能原子核反应的实验研究 | 第46-49页 |
·意大利INFN-LNS实验室低能核物理实验研究 | 第49-51页 |
·中国原子能科学研究院核物理研究所低能核物理实验研究 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-54页 |
第三章 金属材料中低能D(d,p)T核反应的实验研究 | 第54-85页 |
·金属材料中核反应电子屏蔽势能的异常增大 | 第54-55页 |
·日本东北大学LNS实验室低能强流加速器介绍 | 第55-62页 |
·低能强流加速器装置 | 第56-57页 |
·真空靶室 | 第57-61页 |
·电子学测量系统 | 第61-62页 |
·实验方法 | 第62-65页 |
·金属材料的离子注入 | 第62-63页 |
·改变能量测量D(d,p)T核反应产物的厚靶产额 | 第63-64页 |
·实验中出射角度的确定 | 第64-65页 |
·D-D核反应产物能量的确定和探测系统能量刻度 | 第65页 |
·数据分析 | 第65-83页 |
·金属中D-D核反应产物能谱 | 第65-72页 |
·金属中D(d,p)T核反应产物proton和triton产额的测量 | 第72-74页 |
·金属材料中低能D(d,p)T核反应proton/triton产额比值 | 第74-79页 |
·D-D核反应屏蔽势能及激发函数的得出 | 第79-81页 |
·D-D核反应角分布的修正 | 第81-83页 |
·D-D核反应立体角变化的修正 | 第83页 |
参考文献 | 第83-85页 |
第四章 实验结果及讨论 | 第85-119页 |
·实验室系(10≤E_d≤20keV)金属材料中D(d,p)T核反应实验 | 第85-92页 |
·不同金属材料中D(d,p)T核反应质子的相对厚靶产额 | 第85-86页 |
·不同金属材料中D(d,p)T核反应的屏蔽势能 | 第86-88页 |
·不同金属材料中D(d,p)T核反应的激发函数曲线 | 第88-89页 |
·不同金属中D(d,p)T核反应屏蔽势能结果分析 | 第89-92页 |
·实验室系(5≤E_d≤10keV)特殊材料中D(d,p)T核反应实验 | 第92-96页 |
·不同材料中D(d,p)T核反应质子的相对厚靶产额 | 第92-94页 |
·不同材料中D(d,p)T核反应的屏蔽势能 | 第94页 |
·载体材料结构对实验结果的影响分析 | 第94-96页 |
·金属材料中低能D(d,p)T核反应proton/triton产额比值 | 第96-117页 |
·实验测量结果 | 第96-108页 |
·D(d,p)T核反应proton/triton产额比值误差分析 | 第108-109页 |
·蒙特卡罗方法模拟proton/triton产额比值 | 第109-111页 |
·结果讨论分析 | 第111-117页 |
参考文献 | 第117-119页 |
第五章 论文总结 | 第119-121页 |
本人在攻读博士期间发表的文章 | 第121-122页 |
致谢 | 第122-123页 |
附录1:反应截面的倍增因子推导 | 第123-124页 |
附录2:x~2分布及实验中屏蔽势能u,的误差推导 | 第124-125页 |
附录3:含氖金属原子个数比的推导~(M_xD) | 第125-126页 |
附录4:立体角在质心系(C系)和实验室系(L系)中的转换 | 第126-128页 |
附录5:各种金属载体材料中D一D核反应能谱图 | 第128-138页 |
附录6:实验装置及相关仪器实物照片 | 第138-139页 |
附录7:Monte Carlo模拟部分源代码及输入文件 | 第139-140页 |