摘要 | 第1-10页 |
ABSTRACT | 第10-14页 |
第一部分 可逆电双稳薄膜器件的研究 | 第14-97页 |
前言 | 第14-16页 |
第一章 新型信息存储技术概述 | 第16-27页 |
·引言 | 第16页 |
·新型无机存储器 | 第16-20页 |
·磁阻随机存储器(MRAM) | 第16-17页 |
·相变存储器(PCM) | 第17-18页 |
·铁电随机存储器(FeRAM) | 第18-19页 |
·电阻开关随机存储器(RRAM) | 第19-20页 |
·新型有机存储器 | 第20-26页 |
·一次写入、多次读出存储器(WORM-write once read many times) | 第21-23页 |
·电可擦写可读取电双稳存储器 | 第23-25页 |
·多重态电存储器(MCM-Multilevel Conductance Memory) | 第25-26页 |
·本章小结 | 第26-27页 |
第二章 电双稳器件的工作机理 | 第27-36页 |
·引言 | 第27页 |
·SV模型 | 第27-28页 |
·电荷转移 | 第28-29页 |
·分子结构变化 | 第29页 |
·陷阱填充 | 第29-30页 |
·导电通道(FILAMENT)的形成-断裂 | 第30-34页 |
·电极电离形成filament | 第30-32页 |
·氧化物的局部filament | 第32-34页 |
·所用到的导电模型:空间电荷限制电流(SCLC) | 第34-35页 |
·本章小结 | 第35-36页 |
第三章 实验方法 | 第36-41页 |
·实验方法概述 | 第36-37页 |
·器件的制备 | 第37-39页 |
·实验材料 | 第37页 |
·器件制备方法 | 第37-39页 |
·薄膜表征手段 | 第39页 |
·电学性能测试 | 第39-41页 |
·仪器 | 第39页 |
·测试方法 | 第39-41页 |
第四章 固-固界面反应制备硫氰酸银钾复合薄膜及其电存储特性研究 | 第41-57页 |
·引言 | 第41-42页 |
·实验 | 第42页 |
·实验结果与讨论 | 第42-54页 |
·复合薄膜的表征和分析 | 第42-46页 |
·Al/AgK_2(SCN)_3/Ag夹层器件的电性能研究 | 第46-48页 |
·讨论 | 第48-54页 |
(一) 电流曲线拟合 | 第48-49页 |
(二) 不同电极组合的器件研究 | 第49-51页 |
(三) 器件开关机理研究 | 第51-53页 |
(四) 大气环境下器件的可靠性测试 | 第53-54页 |
·固-固界面反应制备CUSCN复合薄膜及其电存储特性研究简介 | 第54-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
第五章 固-液界面反应制备CUSCN薄膜及其电存储特性研究 | 第57-84页 |
·引言 | 第57-58页 |
·固-液界面反应制备CUSCN薄膜 | 第58-66页 |
·实验方法 | 第58-59页 |
·实验结果与讨论 | 第59-66页 |
(一) 不同的硫氰酸盐溶液的影响 | 第59-63页 |
(二) 薄膜的生长过程研究 | 第63-65页 |
(三) 溶液浓度的影响 | 第65-66页 |
·CUSCN薄膜器件的电存储特性研究 | 第66-83页 |
·薄膜的表征分析 | 第67-68页 |
·电流-电压曲线研究 | 第68-71页 |
·"电老化"预处理研究 | 第71-75页 |
·连续写-读-擦-读性能研究 | 第75-77页 |
·不同写入电压的影响 | 第77-78页 |
·高温擦写性能研究 | 第78-79页 |
·非易失性和跃迁速度测试 | 第79-80页 |
·成品率 | 第80-81页 |
·参比实验 | 第81-83页 |
·本章小结 | 第83-84页 |
第六章 基于MC分子的M-O-M结构器件的电存储特性研究 | 第84-93页 |
·引言 | 第84页 |
·器件制备与测试 | 第84-85页 |
·实验结果与讨论 | 第85-92页 |
·伏安特性 | 第85-87页 |
·电流模型拟合 | 第87-88页 |
·工艺参数对器件性能的影响 | 第88-92页 |
(一) 不同金属电极 | 第88-91页 |
(二) 有机层厚度 | 第91-92页 |
·本章小结 | 第92-93页 |
第七章 第一部分总结与展望 | 第93-97页 |
·第一部分总结 | 第93-95页 |
·展望 | 第95-97页 |
第二部分 | 第97-113页 |
第八章 基于"动态"模式分子整流器的研究 | 第97-113页 |
·引言 | 第97-101页 |
·有机分子整流概述 | 第97-98页 |
·分子自组装技术 | 第98-101页 |
·实验 | 第101-103页 |
·实验分子 | 第101-102页 |
·分子器件的制备及电性能测试 | 第102-103页 |
·结果与讨论 | 第103-111页 |
·拉曼光谱表征 | 第103-104页 |
·分子器件的整流特性研究 | 第104-107页 |
·溶液浸泡时间的影响 | 第107-108页 |
·电压扫描速率的影响 | 第108-109页 |
·更多"动态"分子器件的测试 | 第109-111页 |
·结论与展望 | 第111-113页 |
参考文献 | 第113-127页 |
附录 | 第127-129页 |
后记 | 第129-130页 |