| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 量子点位置可控生长的研究现状 | 第5-11页 |
| §1.1 自组织生长锗硅量子点及其存在的主要问题 | 第5-6页 |
| §1.2 提高量子点有序性的方法 | 第6-7页 |
| §1.3 图案衬底生长锗硅量子点 | 第7-10页 |
| §1.4 本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 生长系统与测试系统介绍 | 第11-15页 |
| §2.1 分子束外延技术简介 | 第11页 |
| §2.2 锗硅分子束外延系统简介 | 第11-13页 |
| §2.3 原子力显微镜 | 第13-15页 |
| 第三章 图案硅衬底的制备 | 第15-26页 |
| §3.1 纳米球刻蚀技术 | 第15-16页 |
| §3.2 聚苯乙烯纳米球自组织单层密堆积排列 | 第16-22页 |
| §3.2.1 旋涂法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜 | 第16-17页 |
| §3.2.2 垂直蒸发法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜 | 第17-19页 |
| §3.2.3 Langmuir-Blodgett(LB)法排列聚苯乙烯纳米球单层薄膜 | 第19-22页 |
| §3.3 硅图案衬底的制作 | 第22-26页 |
| 第四章 图案硅衬底上量子点的生长 | 第26-37页 |
| §4.1 图案衬底上的量子点生长 | 第26页 |
| §4.2 纳米球刻蚀图案衬底上量子点的生长 | 第26-30页 |
| §4.3 温度对图案衬底上量子点生长的影响 | 第30-37页 |
| §4.3.1 不同温度下光刻图案衬底上量子点生长的结果 | 第30-32页 |
| §4.3.2 实验结果讨论 | 第32-36页 |
| §4.3.3 实验结论 | 第36-37页 |
| 总结与展望 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 发表文章 | 第40页 |
| 会议文章 | 第40-41页 |
| 致谢 | 第41-42页 |
