| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-15页 |
| ·氧化钨薄膜研究的科学背景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究历史、现状和意义 | 第12-13页 |
| ·氧化钨薄膜研究历史与现状 | 第12页 |
| ·氧化钨薄膜的研究意义 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要内容 | 第13-14页 |
| ·本章小结 | 第14-15页 |
| 2 氧化钨薄膜的制备技术 | 第15-22页 |
| ·制备方法 | 第15-21页 |
| ·化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第16-17页 |
| ·真空蒸发法 | 第17-18页 |
| ·电沉积法 | 第18页 |
| ·溅射法 | 第18-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 3 氧化钨薄膜的改性措施 | 第22-26页 |
| ·衬底加热 | 第22-23页 |
| ·氧化钨薄膜的掺杂改性 | 第23页 |
| ·氧化钨薄膜的退火处理 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 4 氧化钨薄膜分析方法 | 第26-34页 |
| ·C-V 分析 | 第26-29页 |
| ·C-V 分析的原理 | 第26-29页 |
| ·pn 结的 C-V 分析 | 第26-27页 |
| ·MOS 结构的 C-V 分析 | 第27-29页 |
| ·拉曼分析 | 第29-32页 |
| ·拉曼光谱的原理 | 第30页 |
| ·拉曼散射光谱的特征 | 第30页 |
| ·拉曼光谱的应用方向 | 第30-31页 |
| ·拉曼光谱分析的优点 | 第31页 |
| ·拉曼光谱用于分析的不足 | 第31-32页 |
| ·XRD 分析 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 5 氧化钨薄膜的变色机理 | 第34-41页 |
| ·氧化钨薄膜电致变色机理 | 第34-37页 |
| ·电化学反应模型 | 第34-35页 |
| ·Faughnan 模型（又称为双注入模型） | 第35页 |
| ·Schirmer 模型 | 第35-36页 |
| ·大极化子吸收模型 | 第36页 |
| ·自由载流子模型 | 第36页 |
| ·能带理论描述 | 第36-37页 |
| ·氧化钨薄膜气敏机理 | 第37-40页 |
| ·气致变色的氢注入模型 | 第37-38页 |
| ·能级模型 | 第38页 |
| ·气致变色的氧空位模型 | 第38-39页 |
| ·色心模型 | 第39页 |
| ·价间跳跃理论 | 第39页 |
| ·吸附/脱附模型 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 6 氧化钨薄膜样品制备 | 第41-49页 |
| ·实验装置 | 第41-44页 |
| ·超声波清洗器 | 第41-42页 |
| ·FZJ350 型多功能薄膜制备设备 | 第42-44页 |
| ·氧化钨系列薄膜制备过程 | 第44-45页 |
| ·单晶硅片衬底的预处理 | 第45-46页 |
| ·氧化钨薄膜样品的制备 | 第46-48页 |
| ·射频磁控溅射法制备氧化钨薄膜样品 | 第46页 |
| ·射频磁控溅射法分段溅射制备氧化钨薄膜样品 | 第46页 |
| ·射频磁控溅射法制备氧化铟锡薄膜样品 | 第46-47页 |
| ·射频磁控溅射法制备氧化钨/氧化铟锡/氧化钨复合膜样品 | 第47页 |
| ·射频磁控溅射法制备氧化铟锡/氧化钨/氧化铟锡复合膜样品 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 7 氧化钨薄膜样品的测试与分析 | 第49-60页 |
| ·各系列氧化钨薄膜样品的拉曼谱分析 | 第49-59页 |
| ·拉曼光谱仪简介 | 第49-50页 |
| ·在入射激光波长为325 nm 时各系列薄膜的拉曼谱分析 | 第50-55页 |
| ·在入射激光波长为532 nm 时各系列薄膜的拉曼谱分析 | 第55-58页 |
| ·拉曼谱分析小结 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 8 总结与展望 | 第60-62页 |
| ·研究成果总结 | 第60页 |
| ·工作展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士期间发表的文章 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
