| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 1绪论 | 第12-26页 |
| 1.1研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2半导体光催化技术概述 | 第13-15页 |
| 1.2.1半导体光催化技术原理 | 第13-14页 |
| 1.2.2半导体光催化技术存在的问题 | 第14-15页 |
| 1.3铋系半导体光催化材料 | 第15-19页 |
| 1.3.1铋系半导体简介 | 第15-16页 |
| 1.3.2常见的铋系半导体材料 | 第16-19页 |
| 1.4钼酸铋光催化剂的研究现状 | 第19-24页 |
| 1.4.1钼酸铋光催化剂的制备 | 第19-20页 |
| 1.4.2钼酸铋光催化剂的改性 | 第20-24页 |
| 1.5选题背景及意义 | 第24-26页 |
| 2在Bi2MoO6表面原位沉积金属Bi以提高光催化活性 | 第26-42页 |
| 2.1前言 | 第26-27页 |
| 2.2实验部分 | 第27-29页 |
| 2.2.1实验药品 | 第27页 |
| 2.2.2实验仪器 | 第27-28页 |
| 2.2.3实验步骤 | 第28页 |
| 2.2.4光催化活性测试 | 第28-29页 |
| 2.2.5电化学测试 | 第29页 |
| 2.3结果和讨论 | 第29-41页 |
| 2.3.1XRD分析 | 第29-30页 |
| 2.3.2SEM分析 | 第30-31页 |
| 2.3.3XPS分析 | 第31-32页 |
| 2.3.4BET比表面积及孔径分布分析 | 第32-33页 |
| 2.3.5光学性质 | 第33-34页 |
| 2.3.6光催化活性 | 第34-37页 |
| 2.3.7可能的光催化机理 | 第37-41页 |
| 2.3.8光催化剂的稳定性 | 第41页 |
| 2.4结论 | 第41-42页 |
| 3一步溶剂热法构建Bi2SiO5/Bi4MoO9异质结以提高光催化活性 | 第42-60页 |
| 3.1前言 | 第42-43页 |
| 3.2实验部分 | 第43-45页 |
| 3.2.1实验药品 | 第43页 |
| 3.2.2实验仪器 | 第43-44页 |
| 3.2.3实验步骤 | 第44-45页 |
| 3.2.4光催化活性测试 | 第45页 |
| 3.2.5电化学测试 | 第45页 |
| 3.2.6密度泛函理论计算 | 第45页 |
| 3.3结果与讨论 | 第45-59页 |
| 3.3.1催化剂的形貌和结构 | 第45-51页 |
| 3.3.2光催化性能 | 第51-54页 |
| 3.3.3光催化机理 | 第54-59页 |
| 3.4结论 | 第59-60页 |
| 4铁电极化对Bi2MoO6光催化活性影响的研究 | 第60-75页 |
| 4.1前言 | 第60-61页 |
| 4.2实验部分 | 第61-64页 |
| 4.2.1实验药品 | 第61-62页 |
| 4.2.2实验仪器 | 第62页 |
| 4.2.3实验步骤 | 第62-63页 |
| 4.2.4光催化活性测试 | 第63页 |
| 4.2.5电化学测试 | 第63-64页 |
| 4.3结果和讨论 | 第64-74页 |
| 4.3.1催化剂的形貌和结构 | 第64-68页 |
| 4.3.2光催化性能 | 第68-70页 |
| 4.3.3光催化机理 | 第70-74页 |
| 4.4结论 | 第74-75页 |
| 5全文总结和展望 | 第75-77页 |
| 5.1全文总结 | 第75-76页 |
| 5.2展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-101页 |
| 附录攻读学位期间发表论文及专利受理目录 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |