| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·SRAM功耗的来源 | 第9-10页 |
| ·电源电压调整技术发展的现状 | 第10-12页 |
| ·电源电压调整技术简介 | 第10-11页 |
| ·电源电压调整技术的发展现状 | 第11-12页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 第2章 SRAM的设计 | 第14-41页 |
| ·SRAM设计方案 | 第14-20页 |
| ·存储单元的读取过程 | 第14-17页 |
| ·存储单元的写入过程 | 第17-19页 |
| ·设计方案小结 | 第19-20页 |
| ·电源电压的确定 | 第20-22页 |
| ·六管存储单元的设计及噪声容限分析 | 第22-30页 |
| ·噪声容限概述 | 第22-26页 |
| ·读和写状态时V_(PPCPL)和V_(PPWL)的确定 | 第26-29页 |
| ·读噪声容限的比较与分析 | 第29-30页 |
| ·SRAM的整体电路设计 | 第30-32页 |
| ·升压电路的设计 | 第32-33页 |
| ·电压选择电路的设计 | 第33-34页 |
| ·SRAM外围电路设计 | 第34-39页 |
| ·灵敏放大器 | 第34-36页 |
| ·译码电路设计 | 第36-38页 |
| ·位线预充电路 | 第38页 |
| ·列选择电路 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第3章 仿真与分析 | 第41-50页 |
| ·单元功能的仿真 | 第41-43页 |
| ·升压电路的仿真 | 第43-44页 |
| ·SRAM整体电路的功能仿真 | 第44-47页 |
| ·遍历仿真 | 第44-45页 |
| ·相邻地址单元的仿真 | 第45页 |
| ·内部信号分析 | 第45-47页 |
| ·SRAM功耗的仿真与分析 | 第47页 |
| ·SRAM速度的仿真与分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 版图设计 | 第50-55页 |
| ·存储单元的版图设计 | 第50-51页 |
| ·升压电路版图的设计 | 第51-52页 |
| ·电压选择电路的版图设计 | 第52页 |
| ·存储器整体版图设计 | 第52-53页 |
| ·版图验证 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62页 |