| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 太赫兹波技术 | 第10-11页 |
| 1.2 超材料 | 第11-18页 |
| 1.2.1 超材料的分类 | 第11-13页 |
| 1.2.2 电磁超材料的设计 | 第13-16页 |
| 1.2.3 太赫兹超材料调制器 | 第16-18页 |
| 1.3 基于VO_2的太赫兹调制器 | 第18-21页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 常开型太赫兹超表面调制器的仿真设计 | 第23-39页 |
| 2.1 器件的CST建模过程 | 第23-29页 |
| 2.1.1 仿真软件介绍 | 第23-24页 |
| 2.1.2 建模过程及参数设置 | 第24-29页 |
| 2.2 基于大面积二氧化钒薄膜的常开型太赫兹超表面调制器仿真 | 第29-34页 |
| 2.3 基于图形化二氧化钒薄膜的常开型太赫兹超表面调制器仿真 | 第34-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 常开型太赫兹超表面调制器的制备 | 第39-61页 |
| 3.1 基于大面积VO_2薄膜的常开型超表面器件制备方案研究 | 第39-40页 |
| 3.2 基于大面积VO_2薄膜的常开型超表面器件制备工艺研究 | 第40-58页 |
| 3.2.1 热氧化工艺 | 第40-44页 |
| 3.2.2 光刻工艺 | 第44-48页 |
| 3.2.3 刻蚀工艺 | 第48-51页 |
| 3.2.4 热扩散工艺 | 第51-55页 |
| 3.2.5 薄膜制备工艺 | 第55-58页 |
| 3.3 基于图形化VO_2薄膜的常开型超表面器件的制备 | 第58-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 常开型太赫兹超表面调制器的测试 | 第61-73页 |
| 4.1 太赫兹时域光谱(THz-TDS)测试系统 | 第61-63页 |
| 4.2 两种常开型太赫兹超表面调制器THz-TDS测试 | 第63-67页 |
| 4.2.1 基于大面积VO_2薄膜的常开型太赫兹超表面调制器THz-TDS测试 | 第63-65页 |
| 4.2.2 基于图形化VO_2薄膜的常开型太赫兹超表面调制器THz-TDS测试 | 第65-67页 |
| 4.3 加入缓冲层的太赫兹超表面调制器 | 第67-69页 |
| 4.4 太赫兹超表面调制器的速度测试 | 第69-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-76页 |
| 5.1 总结 | 第73-74页 |
| 5.2 展望 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第81页 |
