| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-18页 |
| 第二章 文献综述 | 第18-42页 |
| 2.1 非晶氧化物半导体 | 第18-25页 |
| 2.1.1 非晶氧化物半导体的发展历程 | 第18-19页 |
| 2.1.2 非晶氧化物半导体的结构与性质 | 第19-25页 |
| 2.2 非晶氧化物TFT | 第25-36页 |
| 2.2.1 非晶氧化物TFT的发展历程 | 第25-26页 |
| 2.2.2 TFT的器件结构和工作原理 | 第26-29页 |
| 2.2.3 非晶氧化物TFT的性能表征 | 第29-32页 |
| 2.2.4 非晶氧化物TFT与a-Si:H TFT性能对比 | 第32-33页 |
| 2.2.5 不同组成氧化物TFT的性能对比 | 第33-34页 |
| 2.2.6 非晶氧化物TFT的稳定性 | 第34-36页 |
| 2.3 非晶氧化物TFT的应用 | 第36-40页 |
| 2.3.1 非晶氧化物TFT在显示领域的应用 | 第36-38页 |
| 2.3.2 非晶氧化物TFT在逻辑电路领域的应用 | 第38-39页 |
| 2.3.3 非晶氧化物TFT在传感器领域的应用 | 第39-40页 |
| 2.4 选题背景与研究内容 | 第40-42页 |
| 第三章 实验方法与表征手段 | 第42-54页 |
| 3.1 脉冲激光沉积技术 | 第42-46页 |
| 3.1.1 PLD的基本原理 | 第42-45页 |
| 3.1.2 PLD技术的优缺点 | 第45-46页 |
| 3.2 实验原料及实验过程 | 第46-51页 |
| 3.2.1 实验设备 | 第46-48页 |
| 3.2.2 实验试剂与耗材 | 第48页 |
| 3.2.3 靶材制备 | 第48-49页 |
| 3.2.4 衬底及其清洗 | 第49页 |
| 3.2.5 薄膜及器件制备 | 第49-51页 |
| 3.3 表征方法 | 第51-54页 |
| 第四章 膜厚对非晶氧化物薄膜及其TFT性能的影响 | 第54-72页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 a-ZnGeSnO薄膜及其TFT的制备 | 第55-56页 |
| 4.3 a-ZnGeSnO薄膜的性能表征 | 第56-67页 |
| 4.4 a-ZnGeSnO TFT的性能表征 | 第67-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 超薄非晶氧化物TFT中氧空位抑制剂的非必要性 | 第72-86页 |
| 5.1 引言 | 第72页 |
| 5.2 超薄a-ZnGe_xSnO薄膜及其UTFT的制备 | 第72-73页 |
| 5.3 超薄a-ZnGe_xSnO薄膜的性能表征 | 第73-78页 |
| 5.4 a-ZnGe_xSnO UTFT的性能表征 | 第78-85页 |
| 5.5 本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 退火温度对超薄非晶氧化物TFT性能的影响 | 第86-100页 |
| 6.1 引言 | 第86-87页 |
| 6.2 超薄a-ZnSnO薄膜及其UTFT的制备 | 第87页 |
| 6.3 超薄a-ZnSnO薄膜的性能表征 | 第87-94页 |
| 6.4 a-ZnSnO UTFT的性能表征 | 第94-97页 |
| 6.5 本章小结 | 第97-100页 |
| 第七章 超薄a-InZnO与a-ZnSnO薄膜及其TFT性能的对比研究 | 第100-110页 |
| 7.1 引言 | 第100页 |
| 7.2 超薄a-InZnO和a-ZnSnO薄膜及其UTFT的制备 | 第100-101页 |
| 7.3 超薄a-InZnO和a-ZnSnO薄膜的性能表征 | 第101-106页 |
| 7.4 a-InZnO和a-ZnSnO UTFT的性能对比 | 第106-109页 |
| 7.5 本章小结 | 第109-110页 |
| 第八章 结论与展望 | 第110-112页 |
| 8.1 结论 | 第110-111页 |
| 8.2 创新点 | 第111页 |
| 8.3 未来工作展望 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 简历 | 第126-128页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和其他科研成果 | 第128-129页 |
