摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
插图索引 | 第13-15页 |
附表索引 | 第15-16页 |
第1章 绪论 | 第16-27页 |
·引言 | 第16页 |
·石墨烯和石墨烯纳米带的结构 | 第16-19页 |
·石墨烯纳米带的制备及纯化 | 第19-21页 |
·石墨烯纳米带的结构检测 | 第21-23页 |
·石墨烯纳米带的性质 | 第23-25页 |
·石墨烯纳米带的应用前景 | 第25-26页 |
·本文的工作和目的 | 第26-27页 |
第2章 基于密度泛函理论的第一性原理和计算软件介绍 | 第27-34页 |
·引言 | 第27页 |
·密度泛函理论 | 第27-32页 |
·玻恩-奥本海默(Born-Oppenheimer)近似 | 第27-28页 |
·Hartree-Fock 近似 | 第28页 |
·Hohenberg-Kohn 定理 | 第28-29页 |
·Kohn-Sham 方程 | 第29-30页 |
·交换关联项的近似 | 第30-31页 |
·赝势近似 | 第31-32页 |
·本文使用的基于第一性原理计算软件介绍 | 第32-33页 |
·本章小结 | 第33-34页 |
第3章 含Stone-Wales 缺陷zigzag 型石墨烯纳米带的电子学性能和光学性能 | 第34-42页 |
·引言 | 第34页 |
·计算模型和方法 | 第34页 |
·计算结果与讨论 | 第34-40页 |
·Stone-Wales 缺陷对石墨烯纳米带电子学性能的影响 | 第34-39页 |
·Stone-Wales 缺陷对石墨烯纳米带光学性能的影响 | 第39-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第4章 复合缺陷对石墨烯纳米带的电子学和光学性能的影响 | 第42-61页 |
·引言 | 第42页 |
·边缘复合缺陷对石墨烯纳米带的电子结构和光学性能的影响 | 第42-48页 |
·计算模型和方法 | 第42-43页 |
·边缘含硼(氮)-空位复合缺陷石墨烯纳米带的能带结构 | 第43-45页 |
·边缘含硼(氮)-空位复合缺陷石墨烯纳米带的光学性能 | 第45-48页 |
·硼(氮﹑硅)-SW 复合缺陷石墨烯纳米带的电子结构和光学性能 | 第48-54页 |
·计算模型和方法 | 第48页 |
·含复合缺陷石墨烯纳米带的几何和电子结构 | 第48-52页 |
·含复合缺陷石墨烯纳米带的光学性能 | 第52-54页 |
·邻近边缘硼(氮)空位复合缺陷石墨烯纳米带的电子结构 | 第54-59页 |
·计算模型和方法 | 第54-55页 |
·邻近边缘复合缺陷石墨烯纳米带的几何结构 | 第55页 |
·邻近边缘复合缺陷石墨烯纳米带的电子结构 | 第55-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第5章 含缺陷和掺杂的石墨烯纳米带与三聚氰胺分子的相互作用 | 第61-71页 |
·引言 | 第61-62页 |
·三聚氰胺分子吸附对氢原子终端石墨烯纳米带性能的影响 | 第62-66页 |
·计算方法和模型 | 第62-63页 |
·计算结果与讨论 | 第63-66页 |
·三聚氰胺分子吸附对羟基(OH)终端石墨烯纳米带性能的影响 | 第66-70页 |
·计算方法和模型 | 第66-67页 |
·计算结果与讨论 | 第67-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
第6章 硼氮共掺杂石墨烯纳米带的电子学性能研究 | 第71-80页 |
·引言 | 第71-72页 |
·计算方法和模型 | 第72页 |
·硼氮共掺杂8-ZGNR 的计算结果与讨论 | 第72-75页 |
·硼氮共掺杂6-ZGNR 的计算结果与讨论 | 第75-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
第7章 扶手椅型石墨烯纳米带的电子学性能研究 | 第80-95页 |
·引言 | 第80页 |
·含空位缺陷7AGNR 的电子学性能研究 | 第80-83页 |
·计算方法和模型 | 第80-81页 |
·计算结果与讨论 | 第81-83页 |
·含SW 缺陷7AGNR 的电子学性能研究 | 第83-85页 |
·不同SW 分布的几何结构 | 第83页 |
·SW 缺陷对7AGNR 电子结构的影响 | 第83-85页 |
·硼(氮)掺杂对7AGNR 的电子学性能影响的研究 | 第85-89页 |
·硼(氮﹑硅﹑氟)空位复合缺陷对7AGNR 的电子学性能影响 | 第89-91页 |
·硼双空位复合缺陷对7AGNR 的电子学性能影响的研究 | 第91-93页 |
·本章小结 | 第93-95页 |
结论与展望 | 第95-97页 |
参考文献 | 第97-108页 |
附录 A 攻读学位期间所发表学术论文目录 | 第108-110页 |
致谢 | 第110-111页 |