| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-54页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 二维过渡金属硫属化合物的合成策略 | 第13-29页 |
| 1.2.1 自上而下剥离法 | 第13-21页 |
| 1.2.2 自下而上生长法 | 第21-27页 |
| 1.2.3 异质结的合成方法 | 第27-29页 |
| 1.3 二维过渡金属硫属化合物的相变行为 | 第29-37页 |
| 1.3.1 晶体结构简介 | 第30-31页 |
| 1.3.2 晶体结构相变及其调控策略 | 第31-34页 |
| 1.3.3 电子结构相变及其调控策略 | 第34-37页 |
| 1.4 二维过渡金属硫属化合物的性能研究进展 | 第37-44页 |
| 1.4.1 在电子器件中的应用 | 第37-40页 |
| 1.4.2 在能源存储中的应用 | 第40-42页 |
| 1.4.3 在催化领域中的应用 | 第42-44页 |
| 1.5 本论文的选题背景与研究内容 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-54页 |
| 第2章 全单晶剥离法制备超大尺寸过渡金属硫属化合物纳米片 | 第54-74页 |
| 2.1 引言 | 第54-56页 |
| 2.2 实验部分 | 第56-57页 |
| 2.2.1 材料的制备 | 第56页 |
| 2.2.2 表征手段 | 第56-57页 |
| 2.2.3 计算方法 | 第57页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第57-69页 |
| 2.3.1 温和场驱动全单晶剥离 | 第57-60页 |
| 2.3.2 纳米片的结构和形貌表征 | 第60-65页 |
| 2.3.3 全单晶剥离的机理研究 | 第65-69页 |
| 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第3章 酸辅助剥离法制备亚纳米孔过渡金属硫属化合物纳米片 | 第74-92页 |
| 3.1 引言 | 第74-75页 |
| 3.2 实验部分 | 第75-77页 |
| 3.2.1 材料的制备 | 第75-76页 |
| 3.2.2 材料的表征 | 第76页 |
| 3.2.3 器件的性能表征 | 第76-77页 |
| 3.3 分析和讨论 | 第77-87页 |
| 3.3.1 金属态亚纳米孔TaS_2单层纳米片的制备和表征 | 第77-80页 |
| 3.3.2 金属态亚纳米孔TaS_2单层纳米片中的孔调控工程 | 第80-84页 |
| 3.3.3 TaS_2基超级电容器的性能研究 | 第84-87页 |
| 本章小结 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 第4章 程序式剥离法制备过渡金属硫属化合物同质结纳米片 | 第92-114页 |
| 4.1 引言 | 第92-93页 |
| 4.2 实验部分 | 第93-94页 |
| 4.2.1 材料的制备 | 第93页 |
| 4.2.2 样品表征 | 第93-94页 |
| 4.2.3 器件加工及表征 | 第94页 |
| 4.3 分析和讨论 | 第94-108页 |
| 4.3.1 程序式剥离法制备二维同质结策略 | 第94-98页 |
| 4.3.2 二维同质结纳米片的结构表征 | 第98-105页 |
| 4.3.3 TaS_2金属-半导体同质结的器件性能测试 | 第105-108页 |
| 本章小结 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-114页 |
| 第5章 全文总结及展望 | 第114-116页 |
| 5.1 论文特色及创新点 | 第114-115页 |
| 5.2 展望 | 第115-116页 |
| 攻读博士间发表的学术论文与取得的其他科研成果 | 第116-119页 |
| 致谢 | 第119-120页 |
