| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-21页 |
| 1.1 近红外光与近红外半导体材料 | 第11-13页 |
| 1.2 碲锌镉单晶 | 第13-15页 |
| 1.3 InGaAsN/GaAs量子阱 | 第15-16页 |
| 1.4 InGaAsBi/GaAs量子阱 | 第16-18页 |
| 1.5 光致发光基本概念 | 第18-19页 |
| 1.6 本论文的主要内容 | 第19-21页 |
| 第二章 材料制备与表征 | 第21-37页 |
| 2.1 CdZnTe与InGaAs/GaAs量子阱的制备 | 第21-25页 |
| 2.1.1 CdZnTe晶体的生长、退火与晶格缺陷 | 第21-23页 |
| 2.1.2 InGaAs/GaAs量子阱生长与N、Bi掺入 | 第23-25页 |
| 2.2 傅立叶变换红外光致发光光谱 | 第25-32页 |
| 2.2.1 干涉仪与傅立叶变换 | 第25-27页 |
| 2.2.2 傅立叶变换红外光致发光光谱方法 | 第27-30页 |
| 2.2.3 光致发光光谱线型分析 | 第30-32页 |
| 2.3 变条件光致发光光谱分析 | 第32-36页 |
| 2.3.1 变温光致发光光谱 | 第32页 |
| 2.3.2 变激发功率光致发光光谱 | 第32-33页 |
| 2.3.3 变磁场光致发光光谱 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 CdZnTe带边电子结构的光致发光光谱研究 | 第37-58页 |
| 3.1 CdZnTe样品筛选与Zn含量估算 | 第37-42页 |
| 3.1.1 CdZnTe晶片表面形貌 | 第37-40页 |
| 3.1.2 浅杂质特征与禁带宽度分析 | 第40-42页 |
| 3.2 带边浅杂质特征的变条件光谱分析 | 第42-51页 |
| 3.2.1 PL光谱研究带边浅杂质能级温度演化 | 第42-45页 |
| 3.2.2 带边发光特征激发相关与类型判定 | 第45-47页 |
| 3.2.3 CdZnTe磁光PL光谱分析 | 第47-51页 |
| 3.3 CdZnTe近表面二维分辨PL光谱 | 第51-54页 |
| 3.3.1 平面内Zn含量与浅杂质能级分析 | 第51-53页 |
| 3.3.2 平面内应力与浅杂质分布 | 第53-54页 |
| 3.4 CdZnTe带边浅杂质特征与表面应力假设 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 CdZnTe晶体深能级发光与近表面退火改性 | 第58-72页 |
| 4.1 CdZnTe浅杂质能级的生长/退火关联 | 第58-63页 |
| 4.1.1 深能级复合过程及其与浅杂质关联 | 第59-61页 |
| 4.1.2 深能级SA发光模型 | 第61-63页 |
| 4.2 CdZnTe深能级结构与位错、沉淀物发光 | 第63-68页 |
| 4.2.1 浅杂质的退火演化与深能级光谱结构 | 第64-65页 |
| 4.2.2 表面腐蚀的扫描电子显微镜分析 | 第65-66页 |
| 4.2.3 表面腐蚀对光谱影响 | 第66-67页 |
| 4.2.4 深能级演化与退火改性 | 第67-68页 |
| 4.3 CdZnTe能带结构以及退火工艺对材料表面的影响 | 第68-71页 |
| 4.3.1 CdZnTe能带结构模型 | 第69-70页 |
| 4.3.2 CdZnTe表面退火机制 | 第70-71页 |
| 4.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第五章 稀氮InGaAs量子阱界面退火效应 | 第72-87页 |
| 5.1 InGaAsN/GaAs量子阱光谱初步检测 | 第72-74页 |
| 5.1.1 InGaAsN/GaAs量子阱样品 | 第72-73页 |
| 5.1.2 低温光谱与发光特征判定 | 第73-74页 |
| 5.2 变条件PL光谱分析量子阱界面特性 | 第74-85页 |
| 5.2.1 变激发功率PL光谱的带尾演化 | 第74-77页 |
| 5.2.2 磁光-PL光谱的激子发光 | 第77-80页 |
| 5.2.3 变温PL光谱 | 第80-84页 |
| 5.2.4 氮与退火对量子阱界面特性的影响 | 第84-85页 |
| 5.3 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章 稀铋InGaAs量子阱界面特性 | 第87-99页 |
| 6.1 InGaAsBi/GaAs量子阱的PL光谱 | 第87-90页 |
| 6.2 变温、变激发光致发光光谱研究 | 第90-98页 |
| 6.2.1 变激发功率PL光谱的带尾演化 | 第90-92页 |
| 6.2.2 变温PL光谱的S型移动 | 第92-95页 |
| 6.2.3 弱激发变温PL光谱分析界面局域态 | 第95-97页 |
| 6.2.4 变磁场PL光谱分析带尾结构 | 第97-98页 |
| 6.3 本章小结 | 第98-99页 |
| 第七章 总结和展望 | 第99-101页 |
| 总结 | 第99-100页 |
| 展望 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 博士阶段工作内容与相关成果 | 第116-117页 |
