IGBT的正偏安全工作区的电热行为仿真与分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 功率半导体技术的发展现状及发展动力 | 第9-13页 |
| 1.1.1 半导体功率二极管 | 第9页 |
| 1.1.2 功率半导体开关器件 | 第9-11页 |
| 1.1.3 功率集成电路与集成功率模块 | 第11-13页 |
| 1.2 我国功率器件市场现状 | 第13-15页 |
| 第二章 IGBT的结构及其工作原理 | 第15-29页 |
| 2.1 非穿通型IGBT和穿通型IGBT | 第15-18页 |
| 2.2 IGBT的工作模式 | 第18-20页 |
| 2.2.1 反向阻断状态 | 第18页 |
| 2.2.2 正向阻断状态 | 第18-19页 |
| 2.2.3 正向导通状态 | 第19-20页 |
| 2.3 IGBT的开关特性 | 第20-22页 |
| 2.3.1 IGBT的开启 | 第20-21页 |
| 2.3.2 IGBT的关断 | 第21-22页 |
| 2.4 IGBT的性能优调 | 第22-28页 |
| 2.4.1 导通压降和关断损耗之间的折衷关系 | 第22-26页 |
| 2.4.2 IGBT的闩锁 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 IGBT的热学特性与散热分析 | 第29-42页 |
| 3.1 功率器件常用散热方式 | 第29-35页 |
| 3.1.1 空气冷却 | 第29-30页 |
| 3.1.2 热管冷却 | 第30-31页 |
| 3.1.3 液体冷却 | 第31-33页 |
| 3.1.4 其他冷却方式 | 第33-35页 |
| 3.1.4.1 热电制冷 | 第34页 |
| 3.1.4.2 射流冲击制冷 | 第34页 |
| 3.1.4.3 喷雾冷却 | 第34-35页 |
| 3.2 IGBT的散热方式 | 第35-36页 |
| 3.3 IGBT封装技术 | 第36-38页 |
| 3.4 温度对IGBT器件的影响分析 | 第38-40页 |
| 3.4.1 温度对阈值电压的影响 | 第38-39页 |
| 3.4.2 温度对击穿电压的影响 | 第39页 |
| 3.4.3 温度对闩锁特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.5 电力电子器件常见失效原因 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 闩锁与抗闩锁IGBT设计 | 第42-55页 |
| 4.1 IGBT的闩锁 | 第42-43页 |
| 4.1.1 IGBT的静态闩锁 | 第42-43页 |
| 4.1.2 动态闩锁 | 第43页 |
| 4.2 几种不同的抗闩锁结构 | 第43-50页 |
| 4.2.1 减薄栅氧化层厚度 | 第43页 |
| 4.2.2 深P+扩散 | 第43-45页 |
| 4.2.3 IGBT元胞形状对闩锁能力的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.4 工艺对闩锁能力的影响 | 第47-48页 |
| 4.2.5 分担空穴电流的diverter | 第48-49页 |
| 4.2.6 N掺杂埋层抑制闩锁 | 第49-50页 |
| 4.3 SiO_2埋层以抑制闩锁的IGBT结构 | 第50-54页 |
| 4.3.1 器件结构和仿真电路 | 第50-51页 |
| 4.3.2 仿真结果与分析 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-56页 |
| 5.1 仿真结果与分析论文工作总结 | 第55页 |
| 5.2 工作改进方向 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第60页 |
