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IGBT的正偏安全工作区的电热行为仿真与分析

摘要第5-6页
abstract第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 功率半导体技术的发展现状及发展动力第9-13页
        1.1.1 半导体功率二极管第9页
        1.1.2 功率半导体开关器件第9-11页
        1.1.3 功率集成电路与集成功率模块第11-13页
    1.2 我国功率器件市场现状第13-15页
第二章 IGBT的结构及其工作原理第15-29页
    2.1 非穿通型IGBT和穿通型IGBT第15-18页
    2.2 IGBT的工作模式第18-20页
        2.2.1 反向阻断状态第18页
        2.2.2 正向阻断状态第18-19页
        2.2.3 正向导通状态第19-20页
    2.3 IGBT的开关特性第20-22页
        2.3.1 IGBT的开启第20-21页
        2.3.2 IGBT的关断第21-22页
    2.4 IGBT的性能优调第22-28页
        2.4.1 导通压降和关断损耗之间的折衷关系第22-26页
        2.4.2 IGBT的闩锁第26-28页
    2.5 本章小结第28-29页
第三章 IGBT的热学特性与散热分析第29-42页
    3.1 功率器件常用散热方式第29-35页
        3.1.1 空气冷却第29-30页
        3.1.2 热管冷却第30-31页
        3.1.3 液体冷却第31-33页
        3.1.4 其他冷却方式第33-35页
            3.1.4.1 热电制冷第34页
            3.1.4.2 射流冲击制冷第34页
            3.1.4.3 喷雾冷却第34-35页
    3.2 IGBT的散热方式第35-36页
    3.3 IGBT封装技术第36-38页
    3.4 温度对IGBT器件的影响分析第38-40页
        3.4.1 温度对阈值电压的影响第38-39页
        3.4.2 温度对击穿电压的影响第39页
        3.4.3 温度对闩锁特性的影响第39-40页
    3.5 电力电子器件常见失效原因第40-41页
    3.6 本章小结第41-42页
第四章 闩锁与抗闩锁IGBT设计第42-55页
    4.1 IGBT的闩锁第42-43页
        4.1.1 IGBT的静态闩锁第42-43页
        4.1.2 动态闩锁第43页
    4.2 几种不同的抗闩锁结构第43-50页
        4.2.1 减薄栅氧化层厚度第43页
        4.2.2 深P+扩散第43-45页
        4.2.3 IGBT元胞形状对闩锁能力的影响第45-47页
        4.2.4 工艺对闩锁能力的影响第47-48页
        4.2.5 分担空穴电流的diverter第48-49页
        4.2.6 N掺杂埋层抑制闩锁第49-50页
    4.3 SiO_2埋层以抑制闩锁的IGBT结构第50-54页
        4.3.1 器件结构和仿真电路第50-51页
        4.3.2 仿真结果与分析第51-54页
    4.4 本章小结第54-55页
第五章 结论第55-56页
    5.1 仿真结果与分析论文工作总结第55页
    5.2 工作改进方向第55-56页
致谢第56-57页
参考文献第57-60页
攻读硕士学位期间取得的成果第60页

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