| 致谢 | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 1 绪论 | 第22-44页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第23-30页 |
| 1.2 拓扑半金属 | 第30-34页 |
| 1.3 拓扑超导体 | 第34-36页 |
| 1.4 常规磁输运理论 | 第36-39页 |
| 1.5 量子振荡 | 第39-42页 |
| 1.6 本论文的组织结构和创新点 | 第42-44页 |
| 2 样品的制备及测量方法 | 第44-53页 |
| 2.1 样品的制备 | 第44-46页 |
| 2.2 样品表征和物性测量方法 | 第46-53页 |
| 3 过渡金属磷族化合物MPn_2(M=Nb,Ta;Pn=As,Sb)中的补偿效应 | 第53-66页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 实验方法 | 第54-56页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第56-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 4 拓扑半金属NbAs_2在压力下的超导性质 | 第66-76页 |
| 4.1 引言 | 第66-67页 |
| 4.2 实验方法 | 第67-68页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第68-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 5 拓扑半金属W_2As_3的磁输运性质 | 第76-85页 |
| 5.1 引言 | 第76-77页 |
| 5.2 实验方法 | 第77页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第77-84页 |
| 5.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 6 博士期间的其他工作 | 第85-104页 |
| 6.1 外尔半金属NbAs和NbP的负磁阻:本征的手性异常和非本征的效应 | 第85-97页 |
| 6.2 Nodal-line半金属HfSiS中多个费米口袋的磁阻行为 | 第97-104页 |
| 7 总结与展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-123页 |
| 发表文章目录 | 第123-125页 |
